场效应管的工作原理
发布时间：2019-2-23 09:58
发布者：xunavc
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场效应管的工作原理： 场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID".更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。 AO4800 http://www.dzsc.com/ic-detail/9_3755.html场效应管详细规格 FET型：2 个 N 沟道（双） Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250 A封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：FET - 阵列FET特点：逻辑电平门 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V 供应商设备封装：8-SOIC 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.9A 8-SOIC 漏极至源极电压333Vdss444：30V 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 15V 包装：带卷 (TR) 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.9A 功率_最大：1.9W 制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 6.9A，10V安装类型：表面贴装 
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