内存/闪存产能过剩三巨头明年一齐减产

发布时间：2018-12-21 09:48 发布者：eechina

关键词： DRAM , NAND , 内存 , 闪存

这两年，DRAM芯片和内存条价格经历了一波疯涨，如今已经慢慢回归理智，而在另一方面，NAND闪存产能一直很充裕，SSD固态硬盘的价格也是持续走低，性价比越来越高。

但是这对于内存、闪存芯片厂商来说，并不是好消息，三星电子、SK海力士、美光三大巨头就不约而同地要开始刻意控制产能了。

美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度财务电话会议上表示，当前DRAM内存芯片市场查能过剩、库存持续增加，导致价格下跌、拖累产业。

美光预计明年内存芯片产能增幅为15%，低于此前预期的20%，NAND闪存芯片也只会增长35%，低于此前预计的35-40%。

为了解决供过于求的问题，美光计划将明年全年的资本支出下调12.5亿美元降至95亿美元，以减少DRAM内存、NAND闪存芯片产能。

不过产能调整需要时间，美光预计可能要明年下半年才会恢复供需平衡。

同时，三星、SK海力士也有类似的减产计划，三星更是会增加晶圆代工市场份额，以弥补芯片降价带来的损失。

市调机构IC Insights预计，明年半导体行业的整体资本支出可能会比今年减少12%，其中三星、Intel、SK海力士、台积电、美光三巨头合计减少14%，其他减少约7%。

看这意思，内存、固态硬盘的价格很可能会在明年年中前后出现反弹。

--快科技