MOS管SUD50P06-15-GE3的产品特性：

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MOS管SUD50P06-15-GE3  http://www.dzsc.com/ic-detail/9_97.html的产品特性：
VISHAY > MOS管
制造商        Vishay
产品种类        MOSFET
安装风格        SMD/SMT
封装/箱体        TO-252-3
通道数量        1Channel
晶体管极性        P-Channel
Vds-漏源极击穿电压        60V
Id-连续漏极电流        50A
RdsOn-漏源导通电阻        15mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压        3V
Vgs-栅极-源极电压        20V
Qg-栅极电荷        165nC
最小工作温度        -55C
最大工作温度        +150C
配置        Single
Pd-功率耗散        113W
通道模式        Enhancement
商标名        TrenchFET
封装        CutTape
封装        Reel
高度        2.38mm
长度        6.73mm
系列        SUD
宽度        6.22mm
商标        Vishay/Siliconix
正向跨导-最小值        61S
下降时间        175ns
产品类型        MOSFET
上升时间        70ns
工厂包装数量        2000
子类别        MOSFETs
典型关闭延迟时间        175ns
典型接通延迟时间        15ns
单位重量        1.438g