完整开关电源适配器芯片12V1ADK112低功耗驱动芯片电路设计

发布时间:2018-8-2 17:14    发布者:qq2355773792
关键词: 开关电源驱动芯片 , 驱动电源管理ic , DK112
开关电源适配器芯片12V1ADK112电路图参考设计高功率


开关电源控制芯片DK112 是次级反馈,反激式 AC-DC 离线式开关电源控制芯片。芯片采

用高集成度的 CMOS 电路设计,具有输出短路、次级开路、过温、过压等保护功能。芯片

内置高压功率管和自供电线路,具有外围元件极少,变压器设计简单(隔离输出电路的变压器只需要两个绕组)等特点。


开关电源控制芯片DK112产品特点

l全电压输入 85V—265V。

l内置 700V 功率管。

l芯片内集成了高压恒流启动电路,无需外部启动电阻

l专利的自供电技术,无需外部绕组供电。

l待机功耗小于 0.3W。

l65KHz PWM 开关频率。

l内置变频功能,待机时自动降低工作频率,在满足欧洲绿色能源标准( < 0.3W同时,降

低了输出电压的纹波。




内置斜坡补偿电路,保证在低电压及大功率输出时的电路稳定。

频率抖动降低 EMI 滤波成本。

过温、过流、过压以及输出短路,次级开路保护。

4KV 防静电 ESD 测试。

工作原理



开关电源DK112上电启动:


芯片内置高压启动电流源;上电启动时当 VDD 电压小于启动电压时,打开三极管对外部的

VDD 储能电容充电。当 VDD 电压达到 4.9V 启动电压的时候,关闭启动电流源,启动过程

结束,控制逻辑开始输出 PWM 脉冲。


开关电源DK112软启动:

上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和,功率管和次级整

流管应力过大,芯片内置 4ms 软启动电路,在前 4ms 内,最大初级峰值电流为330mA,

时钟频率为 65K。启动结束后,最大初级峰值电流为 660mA,时钟频率为 65K。
DK112 PWM 输出:
一个 PWM 周期由 3 部分组成:1 是电感充电(开关管开通)阶段






开关电源控制芯片DK112应用领域:
12W 以下 AC-DC 应用包括:电源适配器、充电器、LED 电源、电磁炉、空调、DVD、机顶

盒等家电产品。


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供电电压 VDD …………………………………………   -0.3V--8V
供电电流 VDD …………………………………………    100mA
引脚电压   ……………………………………………  -0.3V--VDD+0.3V
功率管耐压  …………………………………………  -0.3V--730V
峰值电流
………………………………………………………………  800mA
总耗散功率
……………………………………………………………
1000mW
工作温度  …………………………………………
-25°C--+125°C
-55°C--+150°C
+280°C/5S
储存温度  …………………………………………………
焊接温度
…………………………………………………………………
上电启动:
芯片内置高压启动电流源;上电启动时当VDD电压小于启动电压时,打开三极管对
外部的VDD储能电容充电。当VDD电压达到4.9V启动电压的时候,关闭启动电流源,启
动过程结束,控制逻辑开始输出PWM脉冲。


软启动:
上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和,功率管和
次级整流管应力过大,芯片内置4ms软启动电路,在前4ms内,最大初级峰值电流为
330mA,时钟频率为65K。启动结束后,最大初级峰值电流为660mA,时钟频率为65K。





B检测和反馈控制:
Fb引脚外部连接一只电容,以平滑Fb电压,外接电容会影响到电路的反馈瞬态特
性及电路的稳定工作,典型应用可在1nF~10nF之间选择;
当Fb电压低于1.6V,最大Ip电流为660mA;
当Fb电压从1.6V逐渐上升到2.8V时,Ip电流从最大电流660mA逐渐减小到

当Fb电压高于1.6V到2.8V,工作频率固定为65kHz。
当Fb电压从2.8V到3.6V时,随FB电压升高工作频率逐渐降低。
当Fb电压大于3.6V时,电路将停止PWM输出。
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