IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列 可将DC-DC开关应用效率提升2%

发布时间:2011-2-14 15:55    发布者:嵌入式公社
关键词: 功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列,采用了IR的新一代硅技术,可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率,这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。

IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件,比上一代器件减少了导通电阻 (RDS (on) ) 和栅极电荷 (Qg) ,使其效率大幅提高2%。此外,这些器件具有超低栅极电阻 (Rg) ,通过把DC-DC转换器的开关损耗降至最低来进一步提高效率。

DirectFETplus.jpg

IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷,将传导和开关损耗降到最低。IRF6894还设有集成式单片肖特基二极管,可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET与上一代器件的占位面积兼容。

产品规格

  器件编号

  
  
BVDSS (V)
  
  
10V时的
  
典型导通电阻(mΩ)
  
  
4.5V时的
  
典型导通电阻(mΩ)
  
  
VGS (V)
  
  
典型QG
(nC)

  
  
典型QGD (nC)
  
  
概要代码
  
  
IRF6811SPBF
  
  
25
  
  
2.8
  
  
4.1
  
  
+/-16
  
  
11
  
  
4.2
  
  
SQ
  
  
IRF6894MPBF
  
  
25
  
  
0.9
  
  
1.3
  
  
+/-16
  
  
29
  
  
10
  
  
MX
  
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