我国科学家首次制备出米级单壁碳纳米管薄膜

发布时间:2018-7-6 14:17    发布者:eechina
关键词: 碳纳米管
来源:经济日报

近日,中科院金属研究所孙东明团队联合刘畅团队,研发了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术,首次在世界范围内制备出米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜,并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管(TFT)和集成电路(IC)器件。

单壁碳纳米管因具有优异的力学、电学和光学性质,被认为是制作柔性和透明电子器件最具竞争力的候选材料之一。但能否发展一种高效、宏量制备高质量单壁碳纳米管薄膜的制备方法,一定程度上决定着该材料能否走向实际应用。研发团队有关负责人解释,首先,迄今制备的单壁碳纳米管薄膜的尺寸通常为厘米量级,批次制备方式不能满足规模化应用要求。其次,由于在碳纳米管薄膜制备工艺过程中通常会引入杂质和结构缺陷,使得薄膜的光电性能劣化,远低于理论预测值,种种因素导致单壁碳纳米管薄膜的制备一直不甚理想。

通过制备方法的创新,研发团队获得了长度超过2米的单壁碳纳米管薄膜。这是我国科学家首次开发出米级长度的单壁碳纳米管薄膜的连续生长、沉积和转移技术,为未来开发基于单壁碳纳米管薄膜的大面积、柔性和透明电子器件奠定了材料基础。
本文地址:https://www.eechina.com/thread-528650-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表