保护数据以保护世界不受坏人破坏
发布时间：2017-9-5 16:35
发布者：eba
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巨大的天然洞穴里的光线暗淡，房间阴沉，反映出Octopus博士的阴郁情绪。他咕哝着，叹息着，他试图用他的假肢撬开一台部分损坏的笔记本电脑机箱，以破坏它和确保它不会落入敌人的手中–其手尤其能够以声速投掷比钢腹板坚硬的物体到几百米的空中。几小时前，Octopus博士捅穿了恶势力的肋骨将其甩到街上，然后带着一只含电子产品的手提箱迅速离开。 回到藏身处后，笔记本电脑最终崩溃了，尽管戴着面具的十字军战士全神贯注在顶棚注视着他，等待着一个机会把它夺回来。笔记本电脑中的8TBSSD（固态器件或固态“驱动”–其中没有移动部件）有许多秘密。Octopus博士知道信息的重要性，并不惜一切去破坏它，无意中给他最大的敌人一个机会尾随他到了受保护的藏身处。为了确保SSD中的内容是真的和被永久的破坏，Planner硕士打碎了机箱，然后又额外用机电臂在其端口释放强大的闪电，当它明显的噼啪作响并片刻变成蓝色时咧嘴而笑。 他没有料到的是安森美半导体的固态硬盘和硬盘驱动器（HDD）从个人电脑到数据中心的应用都包含电子保险丝(eFuse)。这些eFuse在遭遇过流条件时通过“熔断”（开路）保护电器，而且这种方式类似于普通保险丝。不同的是，这些器件可以电子复位到导电状态。eFuse提供一些额外的功能，其规格不断提高：我们最新的eFuse包括集成的特性如电荷泵、精密的过流保护、热关断、三态使能引脚、欠压锁定和带有输出电压钳位的过压保护。 不是所有的eFuse都相同。在当今的电力系统中，能效是关键，较低性能的eFuses其实可以对系统的整体性能产生有害的影响。关键的参数是eFuse的静态电阻RDS(ON) ，由内部MOSFET确定。低的RDS(ON)值确保正常运行时的功率传输是高效的和极低功耗的。更高效的运行还支持在较高环境温度下工作，而器件升温相对较低，这意味着需要较少的冷却，从而可节省空间。虽然eFuses的工作温度可达150˚C，但工作温度越低，使用寿命越长。这一点尤其重要，因为数据中心的硬件被期望能工作10年或更长。 安森美半导体最新的eFuse（NIS5431 和NIS5452）的RDS(ON) 的典型值仅33mΩ，比前代的NIS5135低一半。如图1所示，较新的器件包括具有栅极电压的集成的高边N沟道功率MOSFET，由电荷泵升压。 file:///C:/Users/sophiaz/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image002.jpg 图1. 具有栅极电压的集成的高边N沟道功率MOSFET 在Octopus博士将破旧的笔记本电脑和SSD从悬崖扔到飞泉汹涌的水下后，一个受伤的蜘蛛侠从潮湿的山洞里溜出来，蹲在边上盯着它，然后在一个不可能的角度溜下岩壁。差不多六个小时后，他取回了电子产品，并送到数据医学实验室进行分析。果然，eFuse保护了SSD免受有害电击的损坏，这只是个时间问题，然后闪存芯片被从设备中取出，并被安装到一个新的机箱中，提供获取丰富的数据，包括用来译码恶人名字、他们的位置和他们对全球所犯下的罪的12,837,064位重要的数据。 如果要求eFuse的额定电流超过5A，可以简单地将使能引脚、输入和输出并联在一起。由于RDS(ON)的正温度系数，均流均为自动分配。图2和图3的评估板演示了这。 file:///C:/Users/sophiaz/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image003.jpg 图2. 评估板展示4个NIS5452的并行配置 file:///C:/Users/sophiaz/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image004.jpg 图3. 4个NIS5452器件并行，总电流20A，最高壳温56摄氏度 内部高能效的SenseFET架构支持限流以保护免受故障条件的影响。这样的配置显著的节省检测电阻的功耗和便于通过外部电阻RLIMIT编程。可调的转换速率特性控制浪涌电流，同时为高容性负载提供电源。 可以在具有一些元器件的NIS5452MT1GEVB 标准评估板上测试最新的http://www.onsemi.cn/PowerSolutions/evalBoard.do?id=NIS5431MT1GEVB |
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