三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒 容量高达1Tb
发布时间：2017-8-10 10:09
发布者：eechina
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来源：快科技 在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。 三星表示，今后的2TB 3D闪存SSD产品将使用上这一新品，即一整颗芯片封装16Tb Die，继续减小体积。 如此精巧之后，连传统M.2 2242（NGFF）的电路板型都用不到了，三星据此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 标准。 其中单面16TB的样品三围是30.5mm x 110mm x 4.38mm，当然这是极大值的情况。 按照三星的演示，典型的服务器可以塞入36张单面16TB NGSFF SSD，总存储容量达到576TB。 当然，相较技术、容量本身的进步，用户可能关注闪存第一厂何时能够释放更大的产能把SSD的价格降回去吧。 |
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