三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒 容量高达1Tb

2017年08月10日 10:08    eechina
关键词: V-NAND , SSD
来源:快科技

在旧金山的闪存峰会上,三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒,容量高达1Tb,用于消费级产品。

三星表示,今后的2TB 3D闪存SSD产品将使用上这一新品,即一整颗芯片封装16Tb Die,继续减小体积。

如此精巧之后,连传统M.2 2242(NGFF)的电路板型都用不到了,三星据此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 标准。

其中单面16TB的样品三围是30.5mm x 110mm x 4.38mm,当然这是极大值的情况。

按照三星的演示,典型的服务器可以塞入36张单面16TB NGSFF SSD,总存储容量达到576TB。

当然,相较技术、容量本身的进步,用户可能关注闪存第一厂何时能够释放更大的产能把SSD的价格降回去吧。

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