强化4nm制程技术 三星为奥斯汀厂房投资15亿

发布时间:2017-7-3 17:17    发布者:eechina
关键词: 三星 , 4nm
来源:DIGITIMES

三星电子(Samsung Electronics)正准备布局全球「第四次工业革命」浪潮趋势,将量产为智能型与连网装置所开发的更快速且更高效芯片,以期巩固该公司的全球芯片领导地位。

作为这项策略的一部分,据韩媒FNTIMES报导,三星宣布将5年投资约15亿美元于其位于美国德州奥斯汀(Austin)的晶圆制造厂房,欲强化其4纳米制程技术,被视为是三星倾向以此强化其系统LIS芯片业务以及存储器芯片业务,借以预先为未来第四波工业革命时代对各类系统单芯片(SoC)需求成长预做布局准备。

据Wccftech网站等报导,三星盘据全球行动半导体领域龙头地位已有一段时间,自从高通(Qualcomm)Snapdragon 810处理器出现问题而三星拒绝在产品线中采用后,高通便改成为三星的一般客户,从那时起两家业者便开启一段长期、密切且复杂的合作关系,同时也合作生产SoC。

但最新传言指出,高通下一代行动处理器能将转由台积电代工生产,如果属实意味将打破高通与三星的多年紧密合作关系,也导致三星必须加速自有下世代制程与节点的布局。

近期三星已投资购置两台极紫外光(EUV)微影机台,这将有助三星厂房在生产6纳米制程上,速度比其它竞争对手任何厂房都还来得快速。

未来除了藉投资德州奥斯汀厂房达到其预计到了2020年投入4纳米制程技术的目标外,也将有助三星在发展物联网(IoT)及相关新兴科技芯片上站稳发展基础。

三星已推出一个全面的晶圆制程技术产品规划蓝图,目标改善制程技术至更复杂的水平,三星晶圆业务执行副总裁Yoon Jong-shik表示,导入新制程技术将有助更新型态连网装置的问世。

值得注意的是,4月再传出三星可能将推出一款全新MRAM Memory存储器芯片,适合于2018年新推出装置搭载,这将标志著新的技术突破。至于三星这次投资德州奥斯汀厂房与苹果可能采用三星革命性eMRAM芯片是否具有关联性,将值得观察。

除了持续进行先进制程技术投资,三星也加紧努力强化其在全球存储器芯片市场的龙头地位。三星位于韩国京畿道平泽市的全新NAND芯片生产厂房将于6月底开始运转,以满足市场上不断成长的需求及协助缓解当前供货短缺问题。

三星打算在2017年底前将扩大其最新V-NAND芯片生产规模,达到该公司每月NAND生产量5成比重以上。另外,三星也已开始量产专为物联网平台开发的Exynos i T200处理器。

据德州一份在地研究显示,三星在美国芯片生产子公司Samsung Austin Semiconductor于2015年贡献德州中部区域经济达36亿美元,以及为当地创造近1.1万个工作机会以及4.98亿美元年薪规模。自1997年创立以来,三星已投资超过160亿美元在扩张与维护德州奥斯汀厂房上。

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