QORVO新推GAN-ON-SIC晶体管,提高战术和公共安全电台的效率和带宽

发布时间:2017-6-30 11:01    发布者:eechina
关键词: GaN-on-SiC , GaN , SiC
紧凑型50V晶体管降低电流损耗、简化设计

Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶体管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,该晶体管系列可以提高性能、增强功能,并加快任务关键型战术和公共安全电台的开发速度。这些晶体管针对宽带应用进行过输入匹配处理,并且尺寸小巧,可以实现尺寸更小的新一代通信设备。

Qorvo基础设施与国防产品部总裁James Klein表示:“应急响应人员必须通过多个通道进行通信,所以拥有可靠的数字、视频、GPS等宽带访问能力成为必要——这一切都发生在极具挑战性的条件下。我们的新型晶体管可在三个不同功率水平下提供更高的电压,这一优势最终会转换成为功能更强、容量更大、可靠性更高的电台。”

Qorvo是50V宽带匹配GaN-on-SiC晶体管的唯一供应商。电压更高的晶体管具有多种关键优势,其中包括更大的输出功率,更小的电流损耗,更高的可靠性;系统设计中要求的此类晶体管数量也更少。另外,宽带匹配可以提高能效,从而为应急设备打造出优化的电路板设计。Qorvo今天推出的最新晶体管专门针对空间受限的任务关键型应用而设计,从地面移动无线电通信,到航空电子、测试仪表,应用非常广泛。

产品型号P3dB (W)PAE @ 1GHz频段封装尺寸 (mm)
QPD10042573.20%30-1200MHz6x5
QPD10141569.50%30-1200MHz6x5
QPD1011760.00%30-1200MHz6x5

Qorvo 提供多种高功率和高频RF晶体管,包括GaAs pHEMT和GaN HEMT,二者均提供裸片和封装两种形式。有关这些产品的更多信息,请访问:http://www.qorvo.com/products/discrete-transistors
本文地址:https://www.eechina.com/thread-452895-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

相关视频

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表