25/30V高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）

发布时间：2010-11-18 16:08 发布者：嵌入式公社

为工业负载点应用提供高密度解决方案

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高密度、可靠和高效率的解决方案。

IR的新款高性能PQFN 3 x 3封装是生产技术改进的成果，以全新紧凑的占位空间提供比标准PQFN 3 x 3器件高出多达60%的负载电流能力，同时极大地减少了整体封装电阻，从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) 。除了低导通电阻，新的高性能PQFN封装加强了热传导率并提高了可靠性，且符合工业标准及MSL1湿度敏感性测试。

这一高性能PQFN封装技术也适用于5 x 6 mm占位面积的器件，与标准PQFN 5 x 6 器件相比，在设计要求更多电流时无需增加额外占位面积。

该系列产品包括用作控制MOSFET的优化器件，具有低栅极导通电阻 (Rg) ，以减少开关损耗。在同步MOSFET应用方面，新器件以FETKY (单片式FET及肖特基二极管) 配置形式提供，从而缩短反向恢复时间，以提高效率和EMI性能。

新器件的高度小于1 mm，与现有表面贴装技术兼容，并拥有行业标准引脚，还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。

产品规格

器件编号	封装	BVDSS (V)	最大VGS (V)	在10V下典型/最大RDSon (mΩ)	在4.5V下典型/最大RDSon (mΩ)	在4.5V下典型Qg (nC)	额外芯片功能
IRFHM831	PQFN 3x3	30V	±20V	6.6 / 7.8	10.7 / 12.6	7.3	低Rg
IRFHM830D	PQFN 3x3	30V	±20V	3.4 / 4.3	5.7 / 7.1	13	FETky
IRFHM830	PQFN 3x3	30V	±20V	3.0 / 3.8	4.8 / 6.0	15
IRFH5303	PQFN 5x6	30V	±20V	3.6 / 4.2	5.7 / 6.8	15	低Rg
IRFH5304	PQFN 5x6	30V	±20V	3.8 / 4.5	5.8 / 6.8	16
IRFH5306	PQFN 5x6	30V	±20V	6.9 / 8.1	11.0 / 13.3	7.8
IRFH5255	PQFN 5x6	25V	±20V	5.0 / 6.0	8.8 / 10.9	7.0	低Rg
IRFH5250D	PQFN 5x6	25V	±20V	1.0 / 1.4	1.7 / 2.2	39	FETky

新系列已接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选择工具可通过 IR 网站 www.irf.com供应。

25/30V高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）

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