TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导
发布时间：2010-11-17 16:32
发布者：designer
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介绍在TMS320C5410环境下对Am29LV200B Flash存储器进行程序烧写,并且实现了TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导。 Flash是一种可在线进行电擦写,掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点,并且内部嵌入算法完成对芯片的操作,因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例,介绍Am29LV200B Flash存储器的烧写方法,实现TMS320C5410（以下简称C5410）上电后用户程序的并行自举引导。 1 Am29LV200B Flash存储器 1.1 Flash存储器简介 Am29LV200B是AMD公司生产的Flash存储器,其主要特点有：3 V单电源供电,可使内部产生高电压进行编程和擦除操作;支持JEDEC单电源Flash存储器标准;只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令,具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现,并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成;可以对任一扇区进行读、写或擦除操作,而不影响其它部分的数据。本文中128K×16位Am29LV200B Flash 映射为C5410的片外数据存储空间,地址为：0x8000"0xFFFF,数据总线16位,用于16位方式的并行引导装载。128K的Flash ROM用32K地址分四页进行访问,上电加载程序时使用Flash ROM的第3页。 1.2 Flash存储器的操作命令 向Flash存储器的特定寄存器写入地址和数据命令,就可对Flash存储器编程,但要按一定的顺序操作,否则就会导致Flash存储器复位。由于编程指令不能使“0”写为“1”,只能使“1”变为“0”,而擦除命令可使“0”变为“1”,所以正确顺序是先擦除,后编程。下面就介绍几个常用的操作命令：编程命令、擦除命令、读数据命令、复位命令。 ① 编程命令。该命令向Flash的指定地址中写入数据,需要四个总线周期,前两个是解锁周期,第三个是建立编程命令,最后一个周期完成向编程地址中写入编程数据,如表1所列。 表1 编程命令  由于向每个编程地址写入数据都需要四个周期,所以在循环写Flash时使用宏比较简单。Flash ROM的首地址为0x8000,故偏移地址0x555对应物理地址就为0x8555。编程程序如下： _WRITECOMMAND .macro pa,pd ;单一周期编程的写命 令宏,pa是编程地址,pd是编程数据 PSHM AR1 STM pa,AR1 ;AR1指向编程地址 LD pd,A STL A,*AR1 ;把编程数据放入AR1的编程地址中 RPT #12 NOP POPM AR1 .endm _WRITEFlash .macro par,pdr ;编程宏,par是编程地址寄存器,pdr是存放编程数据的寄存器 _WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ;周期1（解锁） _WRITECOMMAND #82AAH,#055H ;周期2（解锁） _WRITECOMMAND #8555H, #0A0H ;周期3（建立） LD pdr, A ;周期4（编程） STL A, par ;把pdr寄存器中数据放入par;寄存器的地址中 RPT #12 NOP _JUDGE par, pdr ;检测编程是否正确,见Flash;的操作检测 .endm _WRITECOMMAND是实现一个周期编程的写命令宏,而_WRITEFlash是完成对指定地址编程的四个完整周期。 ② 擦除命令。该命令有片擦除和扇区擦除两种,都需要6个总线周期,前两个解锁周期,第三个建立周期,四、五两个解锁周期,最后是片擦除或扇区擦除周期,如表2所列。一旦执行编程或擦除命令后,就启动Flash的内部编程或擦除算法,自动完成编程或擦除操作。擦除程序如下： 表2 擦除命令  _ERASEFlash .macro ;擦除宏 _WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ;周期1（解锁） _WRITECOMMAND #82AAH,#055H ;周期2（解锁） _WRITECOMMAND #8555H,#080H ;周期3（建立） _WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ;周期4（解锁） _WRITECOMMAND #82AAH,#055H ;周期5（解锁） _WRITECOMMAND #8555H,#010H ;周期6（片擦除） STM #8555H,AR3 LD #010H ,A STL A,*AR5 _JUDGE *AR3,*AR5 ;检测是擦除结束,见Flash的操作检测 .endm ③ 读数据命令。上电或内部编程、擦除操作结束后就进入读数据状态,写入要读取的地址即可读出该地址的数据。 ④ 复位命令。它使存储器复位,进入读数据状态,向任何一个地址写入数据0xF0就能使Flash存储器复位。在进行编程、擦除之前,都应先复位,在编程或擦除等正常操作中出现错误时也要复位。复位程序如下： _RESETFlash .macro _WRITECOMMAND #8001H,#0F0H;向8001H写入0F0H使Flash复位 RPT #12 NOP .endm 1.3 Flash的操作检测 Flash内部的编程或擦除算法可自动完成编程或擦除操作,但我们必须了解其内部的操作检测机制,以便知道操作是否完成或正确。常用检测的状态位有：跳变位（DQ6）、超时标志位（DQ5）、数据查询位（DQ7）和Ready/Busy引脚（RY/）。检测的方法有三种。第一种是判断引脚RY/的状态,在编程、擦除或擦除挂起操作过程中,RY/引脚一直为“0”,操作完成后变为“1”。 第二种是检测跳变位DQ6,在编程或擦除时对任何地址进行连续的读均引起DQ6连续跳变,直至操作结束才停止跳变。最后一种是使用数据线的DQ7、DQ5：DQ7位在编程或擦除过程中输出的数是写入该位数据的反码,当操作完成时输出才变为写入该位的数据;DQ5的状态为“1”时表示操作超时,此时应再读一次DQ7的状态,若DQ7输出仍不是写入的数据,则操作失败,复位Flash,其流程如图1所示。  图1 Flash操作检测流程 检测程序如下： _JUDGE .macro par,pdr;检测宏程序。par是编程地址寄存器,pdr是存放编程数据的寄存器 _JUDGEBEGIN?: PSHM AR1 LD pdr,B ;获取写入的数据 AND #00FFh,B ;取被写入数据的DQ7"DQ0 LD par,A ;读被烧写地址的数据 AND #00FFh,A ;取DQ7"DQ0 STL A ,TEMP ;保存 LD A,-7,A ;读DQ7状态 XOR B,-7,A ;是否是反码？ BC _JUDGESUCCESS?,AEQ ;DQ7不是反码而是写入数据表示操作成功 BITF TEMP,#20h BC _JUDGEBEGIN?,ntc;DQ5=1表示操作超时 LD par,A ;再读被烧写地址的数据 AND #00FFh,A LD A,-7,A XOR B,-7,A BC _JUDGESUCCESS?,AEQ; DQ7不是写入数据,表示操作失败 _JUDGEERRO? _RESETFlash ;复位Flash _JUDGESUCCESS? POPM AR1 .endm 2 C5410 的自举引导 脱离仿真器独立运行程序一般有两种方式：一种是上电后用户程序直接在Flash存储器中运行,这种运行速度比较慢;另一种是上电或复位后将用户程序从Flash存储器引导到高速数据存储器中运行,此方法最常用,可以较低的成本实现高速的运行。为了实现这个过程就必须运用DSP自举引导功能。 （1） 自举引导 C5410上电复位后,首先检查MP/MC状态：如果为高电平,说明DSP处于微处理器工作方式,即从外部程序存储器0FF80H地址开始执行用户程序;若为低电平,说明DSP被设置为微计算机工作方式,从片内ROM的0FF80H地址开始执行程序。0FF80H地址存放的是中断向量表,它实为一条分支转移指令（BD 0F800H）,使程序跳转至0F800H执行自举引导程序（Bootloader）。Bootloader是固化在DSP芯片内ROM中的一段程序代码,其功能是将用户程序从外部加载至片内RAM或扩展的RAM中,使其高速运行。在搬运程序之前,Bootloader首先完成初始化工作：使中断无效,内部RAM映射到程序/数据区（OVLY=1）,对程序和数据区均设置7个等待状态等。C5410有以下几种自举引导方式：主机接口HPI、并行口（8/16位）、标准串行口（MCBSP0是16位引导模式,MCBSP2是8位引导模式）以及I/O口（8/16位）自举引导方式。 （2） 并行自举引导 这种方式是比较常用的一种,外部存储器的字宽为8位或16位。在自举引导时,通过外部并行接口总线将这些代码从数据存储空间传送到程序存储空间,而且可以重新设置SWWSR及BSCR寄存器的内容。并行自举引导方式首先从地址为0FFFFH的I/O口读取自举表首地址的内容,如果此内容不符合8位或16位的引导方式,就从地址为0FFFFH的数据存储器读取,进行8位或16位并行自举引导。所以,在烧写Flash数据的同时,也要在0FFFFH烧入自举表的首地址。引导流程如图2所示。  图2 并行自举引导流程图 （3） 建立自举表 自举表内容不仅包括欲加载的各段代码,而且包括各段代码长度、各代码段存放的目标地址、程序入口地址等信息。若要完成自举引导功能,必须建立正确的自举表。自举表可以由hex500格式转换器自动生成;也可以手动建立自举表,就是把被烧写的程序直接放在烧写程序中,根据被烧写程序的相关信息手动建立自举表。 3 C5410 烧写Flash和并行自举引导 下面通过一个Flash烧写实例,介绍怎样将用户程序烧写进Flash,以及怎样手动建立自举表,并且脱离仿真器以并行自举引导方式使用户程序独立运行。被烧写和烧写程序如下： .title “FLASH” .mmregs SWCR .set 002BH TEMP .set 0060H .data .sect ".BOOT" .label BOOTTABLE ;自举表开始 .word 10AAH ;16位自举标记 .word 7FFFH ;7个等待周期（SWWSR） .word 0F000H ;块转换寄存器（BSCR） .word 0000h ;程序入口XPC .word 0200h ;程序入口地址（MAIN_START） .word LOADEND - LOADSTART ; 程序块长度（0116H） .word 0000h ;存放目标XPC .word 0100h ;存放目标地址 LOADSTART: ;中断向量表开始地址 .copy “vector.asm”;复位处跳转MAIN_START MAIN_START: ;被烧写的主程序 STM #0F7h,SP STM #012Ch,PMST ;IPTR=01(中断向量指针为100,指向目标地址),MP/MC=0,OVLY=1,AVIS=0,DROM=1, CLKOFF=1 LOOPF:RSBX XF ;XF置低 CALL DELAY ;延时 SSBX XF ;XF置高 CALL DELAY B LOOPF DELAY:PSHM AR6 STM #0090H,AR6 DELAY_LOOP: RPT #0FF0h NOP BANZ DELAY_LOOP,*AR6- POPM AR6 RET LOADEND ;被烧写的程序结束 .space 20h .mmregs .label FINDTABLE .word 8000h .text ERASE_WRITE_Flash: ;烧写程序开始 STM #0FFA0H,PMST STM #07FFFH,SWWSR STM #0FFFFH,SWCR _RESETFlash ;Flash复位 _ERASEFlash ;擦除Flash WRIFlashSTART: ;开始编程Flash SSBX SXM RSBX OVM _RESETFLASH ;Flash复位 STM #8000H,AR0 ;Flash起始地址8000H STM BOOTTABLE,AR5 ;被烧写的源地址（自举 ;表首地址） STM #( LOADEND- BOOTTABLE),AR4 ; 写入011E个字 WRI_RPT _WRITEFlash *AR0,*AR5 ;调入编程宏 LD *AR0+,A LD *AR5+,A ;完成AR0和AR5地址自动加1 BANZ WRI_RPT,*AR4- STM #0FFFFH,AR0; AR0指向数据空间的FFFF ;地址 STM FINDTABLE,AR5 _WRITEFlash *AR0,*AR5 ;向数据空间的FFFF 地址写入自举表的首地址8000H ENDD: NOP B ENDD .end 被烧写的主程序是从MAIN_START开始,一直到LOADEND。程序的主要功能是不断改变XF引脚的状态。LOADSTART是中断向量文件（vector.asm）的开始,在中断复位（RESET）处放入一条跳转到MAIN_START指令（BD MAIN_START）。ERASE_WRITE_FLASH是烧写程序的开始,只要程序指针（ PC）指向ERASE_WRITE_FLASH,开始运行就可以完成对Flash的烧写操作。从自举表首地址BOOTTABLE （0F8H）到LOADEND（0216H）存放的数据就是要写入Flash的内容,从LOADSTART到LOADEND的数据是DSP自举程序从Flash搬运到片内RAM的程序,具体如下： 00F8H: BOOTTABLE ;自举表开始 0100H: LOADSTART ;中断向量表首地址 0100H: RESET :BD MAIN_START ... ;中断向量表的内容 0178H: RESERVED 0200H: MAIN_START ... ;主程序 0216H: LOADEND 被烧写的程序只需一个段,根据以上信息就可以完成自举表的内容,如表3所列。 表3 自举表  整个并行自举引导过程为：C5410上电复位后,判断MP/MC=0 处于微计算机工作方式,从片内ROM的0FF80H处执行中断向量表的分支转移指令（BD 0F800H）,使程序跳转至0F800H处执行自举引导程序。自举引导程序完成初始化后,读取数据空间的0FFFFH地址的内容,找到自举表首地址8000H,从8000H处开始读取内容。首先,是16位自举标记（10AA）。然后分别是寄存器SWWSR及BSCR的内容,程序入口地址、代码段长度、存放代码段的目标地址等信息。最后,根据这些信息把Flash的8008H到811EH的程序搬运到片内RAM的100H开始的地址中,跳转至片内RAM 100H、即PC为100H、XPC为0,开始执行用户程序,完成用户程序的并行自举过程。 结语 把程序烧写入Flash后,复位C5410,使其处于微计算机工作方式;使用示波器测试XF引脚,观察程序运行正确与否。通过上述方法可完成C5410对Am29LV200B Flash 的烧写,很好地实现了C5410上电后的用户程序自举引导功能。 |
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