Diodes推出闸极驱动器，简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
发布时间：2017-5-22 10:30
发布者：eechina
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动化和大型家电中广泛的马达控制和电源控制器应用，用于额定超过 100 W 的 AC、DC 马达控制器板，以及 LLC 谐振转换器电源供应器拓朴。
DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 装置的半桥组态，包含具有高脉冲电流输出的高侧 (HS) 和低侧 (LS) 驱动器，能够为 MOSFET 或 IGBT 提供高效率的低 RDS(on) 切换，提升整体系统效能。击穿保护电路逻辑包含紧密配合的延迟时间，以及固定的内部停滞时间，确保不同时切换，进而防护 HS 和 LS 电源切换。浮点高侧驱动器可在高达 600V 的电轨上，提供高压隔离。 这三款闸极驱动器与 2.5V 逻辑位准输入兼容，可直接由 3.3V MCU 进行 PWM 控制，进一步简化电源切换驱动；此外，闸极驱动器输出最高可达到 VSS 供电 (10V 到 20V)，减少切换传导损耗。DGD2103M 及 DGD2104M 拥有优化的 Schmitt 触发输入，可在高噪音的马达应用中避免错误触发；DGD2304 则提供较短的内部延迟时间 (通常为 100ns)，对于高频应用更加适合。额外的自我防护功能包括耐受高 dV/dt 切换造成的负瞬态，以及欠压锁定 (UVLO)，避免低供应电压时发生故障。 三款闸极驱动器皆采用产业标准的 SO-8 封装，能够与竞争产品接脚对接脚完全兼容，但拥有更优异快速的切换效能。 详细信息请参阅 www.diodes.com |
网友评论