三星发布30nm工艺moviNAND嵌入式闪存

2009年05月13日 07:05    MSP430
关键词: moviNAND , 工艺 , 嵌入式 , 三星 , 闪存
三星电子宣布已开始出货32GBmoviNAND,这种高密度嵌入式闪存卡采用了先进的30nm工艺,适用于高端手机和其他移动消费电子设备。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND闪存芯片和30nm制造工艺,其存储密度是当前40nm16Gb的两倍。

每一个32GB moviNAND都有三部分组成,其一是八颗30nm32GbNAND闪存芯片;其二是一个MMC控制器,符合最新eMMCv4.3规范,支持缩短启动时间的加电启动功能和降低功耗的休眠命令;其三是一个固件,能够改善处理、存储大容量数据时的性能。

除了32GB,三星30nm moviNAND闪存卡还有16GB、8GB和4GB三种容量。
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