利順精密2009年底推出自主品牌G-Sensor

联电旗下欣兴电子再度出手转投资利顺精密，并计划2009年底推出第1款自有品牌G-Sensor。利顺精密表示，与其它G-Sensor 设计公司不同，利顺精密是在充分掌握MEMS后段封装测试制程后，才介入MEMS前段设计。MEMS市场人士认为，利顺精密的作法有机会像倒吃甘蔗般愈吃愈甜。

欣兴电子过去就已同时转投资两家MEMS设计公司，分别是兴讯科技与利顺精密，差别在兴讯科技是自G-Sensor最前端的设计部分做起，最后再送交封装测试厂拼出单颗G-Sensor，反观利顺精密，一开始就与众不同选择后段制程切入，先将封装及测试机器设备全部自行开发设计做好，再跨入前端设计部分。

利顺精密表示，现阶段利顺精密经过两年多时间，才完成自己的封装及测试设备，无论是Handler或是测试机台，全不假他人之手，因此这些测试设备所花费成本，远低于现在台面上测试大厂。

因此光是因测试设备自制，就已让利顺精密在跨入G-Sensor市场时，先行立于不败之地，毕竟到目前为止，光封装及测试部分成本已占整颗G-Sensor制造成本60~70%，谁能愈压低价格，谁就更能胜出。

利顺精密指出，利顺精密在已可掌握制造G-Sensor的关键后，才于日前网罗设计人才跨入G-Sensor设计领域。据了解，利顺精密G-Sensor 设计部分将分两阶段，第1阶段预计2009年底前先推出压阻式G-Sensor，这部分将先委托亚太优势代工，但压阻式G-Sensor会是过渡型产品，真正对利顺精密长久发展较有意义会是电容式G-Sensor，这部分预期2009年底推出样品，2010年进入量产。

有关电容式G-Sensor代工将区分两区块，逻辑IC将选择台湾任何一家晶圆代工厂，MEMS IC代工候选人目前不排除是台湾或国际MEMS IC专业代工厂，后段封装测试理当由利顺精密自行解决。

利顺精密强调，有关自行开发的电容式G-Sensor将与现行市场任何一各产品完全不同，将不再采用过去梳子型设计架构，因此将无所谓纵深比问题产生，也因无纵深比架构，利顺电容式G-Sensor电容值将高于竞争对手约40~50倍，感应度自然也较同业高出40~50倍。