导通电阻低于1毫欧的30V MOSFET(飞兆)

2009年09月04日 10:09    admin
关键词: MOSFET , 电阻
飞兆半导体公司为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件,采用Power 56封装,型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET,为服务器中心 (server farm) 在许多电源并行安排的情况下提供分担负载功能。FET的连续导通特性,可降低功耗和提高效率,以提升服务器中心的总体效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封装以突破1 mOhm 障碍的MOSFET器件,最大RDS(ON) 仅为0.99 mOhm,能够减少传导损耗,提高应用的总体效率。例如,与一个使用2.0 mOhm MOSFET的典型应用相比,这款30V MOSFET便能够以一半的FET数目,提供相同的总体RDS(ON)。

FDMS7650 采用飞兆半导体性能先进的 PowerTrench MOSFET 技术,提供具突破性的RDS(ON) 。这项技术拥有出色的低 RDS(ON)、总体栅极电荷(QG) 和米勒电荷 (QGD) ,能最大限度地减少传导和开关损耗,从而带来更高的效率。
这款功率MOSFET器件是飞兆半导体众多 MOSFET 器件之一,为功率设计提供了卓越的优势。这个系列的其它出色产品还有飞兆半导体的30V双N沟道MOSFET器件 FDMC8200和FDMS9600,FDMC8200通常具有24 mOhm 的高侧RDS(ON) ,以及9.5 mOhm的低侧RDS(ON) ,有效提高了 DC-DC 应用的效率。FDMS9600 则通过降低高侧 MOSFET 的开关损耗,以及低侧 MOSFET的传导损耗,为同步降压应用提供最佳的功率级。
价格(订购1,000个,每个): 0.95美元
供货: 现提供样品
交货期:收到订单后15周
产品的 PDF 格式数据表可从以下网址获取:
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMS7650.html
查询更多信息,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-3250-7688;北京办事处,电话:010-6408-8088 或访问公司网站:www.fairchildsemi.com
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