节省空间却无损性能的新型双MOSFET组合式器件(Diodes)

2009年07月06日 11:07    admin
关键词: Diodes , MOSFET , 器件 , 性能 , 组合式
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路,应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出:“这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件,有助减省电路板空间及元件数目,同时简化栅极驱动电路设计。比方说,SO8充分发挥了节省空间的功能,其占位面积只有31 mm2,仅为两个SOT223 MOSFET的30%。”



最新双器件封装内的N与P通道MOSFET,可在10V栅极电压 (VGS) 下实现极低的栅极电荷,典型导通电阻 (RDS(ON)) 分别为230mΩ 和235mΩ,确保开关及导通损耗保持在最低水平。功率耗散分别为2.4W及2.6W。
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