采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB（Vishay）
发布时间：2009-1-21 11:55
发布者：admin
据称是业界首款采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB具有背面绝缘的特点。Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化。该器件2-mil背面涂层可实现对MICRO FOOT封装的顶部绝缘，以防与便携器件中移动部件暂时接触而产生的电路短路。 此绝缘设计令该器件可用于具有非常严格的高度要求的应用，从而设计人员可灵活放置MOSFET，屏蔽、按钮或触摸屏等其他零部件可直接放置在MOSFET的上方，这在压低上述部件空间时将进一步压缩产品的高度。此设计灵活性还可减少寄生效应，由于无需路由至PCB上的区域及更少的高度限制，电路布局可更好地优化。 20V n通道Si8422DB具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度。该器件提供了1.8V VGS时0.043Ω至4.5V VGS时0.037Ω的低导通电阻范围，且最大栅源电压为±8 V。 目前，新型Si8422DB可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为10至12周。 |
网友评论