美光和英特尔率先利用25纳米硅工艺推出3-bit-per-cell NAND 闪存
发布时间：2010-8-19 13:45
发布者：嵌入式公社
关键词：
闪存
美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特尔公司 (Intel Corporation)今天联合推出25纳米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存，该 NAND 设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。 
与竞争对手 USB、SD （Secure Digital） 闪存卡和消费电子产品相比，新推出的 25nm 64Gb 3bpc 存储设备的性价比更高且存储量更大。闪存主要用于存储数据、照片或其它多媒体，如计算机应用和数码设备（数码相机、便携式媒体播放器、便携式数码摄像机和各类个人电脑）之间的数据捕捉和传输。这些市场一直处在以更低成本提供更高存储容量产品的压力之下。 由双方合资组建的 NAND 闪存公司IM Flash Technologies（简称 IMFT） 所开发的这项 64Gb（或8GB）25nm 光刻技术，可提供每单位3比特的信息容量，而传统技术只能提供1比特（单层存储单元）或2比特（多层存储单元）。业内也将3bpc称为三层存储单元（triple-level cell, 简称 TLC）。 该设备的尺寸与美光和英特尔容量相同的 25nm MLC（多层存储单元）相比，体积要小20%以上，是目前市场上最小的单个 8GB 设备。从产品固有的紧凑型设计上看，小尺寸闪存对消费终端产品闪存卡显得尤为重要。芯片面积为131平方毫米，符合行业标准 TSOP（薄型小尺寸封装）封装。 |
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