低压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器AUIRS4427S (IR)

2009年04月24日 11:04    admin
关键词: IGBT , MOSFET , 低压 , 功率 , 驱动器

IR推出AUIRS4427S双低侧驱动IC,适用于低、中、高压汽车应用,包括通用电机驱动器、汽车DC-DC转换器及混合动力系统驱动器。

AUIRS4427S 是一款低压、高速功率MOSFETIGBT驱动器,符合AEC-Q100标准。这些输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,可最大限度地减少两个通道的驱动器跨导和匹配传播延迟。AUIRS4427S还具有负电压尖峰免疫性,可防止系统在大电流切换和短路情况下受到损坏。

AUIRS4427S与标准CMOS或LSTTL输出的3.3V和5V逻辑兼容,栅极电压 (VOUT) 高达20V,还具有CMOS施密特触发输入、两个独立的栅极驱动器,以及同相输出与输入。

新器件采用IR先进的高压IC工艺,集成了新一代高压电平转换和端接技术,可以提供出色的电力过应力保护和更高的现场可靠性。

产品基本规格:

元件编号 封装 VOUT Io+ 和Io- ton 和toff (典型)

AUIRS4427S SOIC-8 6V – 20V 2.3A 和3.3A 50ns和50ns

AUIRS4427S采用8引脚SOIC封装,现在开始接受批量订单。这款符合汽车要求的新器件不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

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