适合智能手机背光的结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件（飞兆）
发布时间：2010-8-12 17:48
发布者：嵌入式公社
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随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体 (NYSE: FCS) 开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm。 FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件，用以驱动串联白光LED，为智能电话的显示屏(以及按键，如果有键盘的话)提供照明。 该解决方案对各种动态特性作出仔细精确的优化，实现很低的开关损耗，从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。 FDZ3N513ZT结合了一个30V 集成式 N沟道MOSFET 和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值45pF) 和总体栅极电荷(1nC)，以提高升压转换器设计的效率。 FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封装，相比采用1.6mm x 1.6mm封装的器件，可节省60%的板上占位空间。 飞兆半导体是移动技术领域的领导厂商，拥有大量可针对特定要求而定制的模拟与功率IP产品组合。FDZ3N513ZT 是飞兆半导体全面的先进MOSFET系列的一部分，能够满足业界在充电、负载开关、DC-DC和升压应用方面对紧凑、薄型的高性能MOSFET的需求。 价格: 订购1,000个，单价为0.75美元 供货: 现提供样品 交货期 ：收到订单后12周 产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取：http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDZ3N513ZT.pdf |
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