550MHz时钟、80Gbps速度的65纳米工艺SRAM(赛普拉斯)

2009年04月29日 07:04    admin
关键词: SRAM , 工艺 , 赛普拉斯 , 时钟 , 速度
72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存储器是采用65 纳米线宽的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM 器件。新型SRAM 实现了目前市场上最快的550 MHz时钟速度,在36 位I/O 宽度的QDRII+ 器件中可实现高达 80 Gbps 的总数据传输速度,而功耗仅为90 纳米SRAM 的一半。这种新型存储器非常适用于因特网核心与边缘路由器、固定与模块化以太网交换机、3G 基站和安全路由器等网络应用,而且还能提高医疗影像和军用信号处理系统的性能。上述产品可与 90 纳米 SRAM 引脚兼容,从而帮助网络客户提高性能、增加端口密度,而且还不必改变原有的板卡布局。



相对于 90 纳米的上一代产品,65 纳米的 QDR 和 DDR SRAM 能将输入输出电容降低 60%。QDRII+ 和 DDRII+ 器件具有片内终结电阻器 (ODT),消除了外部端需接电阻的要求,因而可提高信号的完整性,降低系统成本,节约板上空间。65 纳米产品采用的是锁相环路 (PLL) 而非延迟锁相环 (DLL) 技术,其可使数据有效窗口扩展 35%,以帮助客户缩短开发时间、节约开发成本。
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