FM14C88 F-RAM并口储存器(Ramtron)

2009年09月01日 14:09    admin
关键词: Ramtron , 并口 , 储存器

Ramtron推出并口F-RAM存储器FM14C88,适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡 (HBA card) 等应用。

与nvSRAM相比,FM14C88的读写速度更快, 工作电压更低。FM14C88 的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V,采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC封装,具有高速访问、无延迟(NoDelay) 写入、几乎无限的读写次数及低功耗等特点,是取代BBSRAM (电池供电的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存储器的理想方案。

 32K x 8 的标准并口非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM),读写操作与标准SRAM相似,能够在断电后保存数据,并提供超过635年(55℃) 的数据保存能力,消除BBSRAM (电池供电的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中电池,电容的不可靠性、高成本和设计复杂性等问题。F-RAM具有写入速度快,几乎无限的读写次数 (写入次数大约为1014次) 等特点,使其成为RAID存储服务器及工业自动化等应用的理想选择。

FM14C88 在系统内的工作方式与其它 SRAM 器件类似,可以用作标准 SRAM的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址,就可进行读写操作。由于F-RAM存储器采用独特的铁电存储器工艺,具有非易失性的特点,所以非常适合需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。FM14C88可在整个工业环境温度范围(-40°C至 +85°C)工作。

FM14C88 F-RAM器件的特性包括:

• 无延迟 (NoDelay) 写入
• 页面模式工作频率高达33MHz
• 无需大型存储电容器,不存在与电容相关的品质和成本问题
• 即时进行非易失性写入操作
• 上电恢复时间为250 s,比nvSRAM快100倍
• 引脚和功能与CY14B256L和STK14C88-3兼容
• 60 ns存取时间,90 ns读写周期时间
• 电源电压2.0V – 3.6V
• 90 A待机电流 (典型值)
• 7 mA工作电流 (典型值)
• 32脚“绿色”/RoHS SOIC封装

FM14C88 并口存储器已获得全球著名RAID供应商选用,其高性能、高可靠性和低成本的优势已获得业界公认。

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