V系列并口256Kb F-RAM器件(Ramtron)

2009年08月17日 11:08    admin
关键词: Ramtron , 并口 , 器件

Ramtron推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样,具有较高的读写速度和较低的工作电压,其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V,并采用业界标准28脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、仪表、医疗、汽车电子、军事、游戏和计算机及其它应用领域中,作为需电池供电的SRAM的兼容替代产品。

FM28V020是配置为32K x 8的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM),读写操作与标准SRAM相似,能够在断电后保存数据,提供超过10年的数据保存能力,可消除需电池供电的SRAM (BBSRAM) 带来的诸如可靠性、功能缺陷和系统设计复杂性等问题。去除了系统中的电池可以简化生产过程,减少系统维护,并且显得更加环保。F-RAM具有的写入速度快,几乎无限的读写次数等特点 (写入次数大约为1014次),使其优于其它类型的存储器。

FM28V020在系统内的工作方式与其它RAM器件类似,可以用作标准SRAM的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址,就可触发读写操作。由于F-RAM存储器采用独特的铁电存储器工艺,具有非易失性的特点,所以极度适用于需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整个工业环境温度范围内工作。

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