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半导体器件发展进程 [复制链接]

小融一号 (离线)
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发表于 7 天前 |显示全部楼层
关键词: 融创芯城 , 邀请模块

新的一年,祝大家新年新开始,新的一年新的收获、新的进步。这一周聊一个轻松的话题,回顾一下半导体发展的进程中,一些关键时间节点的重大事件,下一周开始继续技术分享。


1874年:Braun发明金属和半导体面紧密接触形成的金属-半导体结的结构,开创半导体器件研究的新时代。


1947年:W.Shockley发明P型和N型半导体面紧密接触形成的PN结的结构。


1947年:美国贝尔电话研究所的W.H.Brattain和J.Bardeen发明了点接触型晶体管,1948年同样在美国贝尔电话研究所的W.Shockley申请了易于产业化的接合型晶体管专利。


W.H.Brattain、J.Bardeen和W.Shockley因发明三极管一起获得1956年诺贝尔物理奖。


J.Bardeen负责晶体管理论研究,后来他由于超导理论,再获1972年获得诺贝尔物理奖。


1955年:W.Shockley离开贝尔实验室创建肖克利半导体实验室,他的个人才华和魅力吸引了一大批天才的青年才俊到研究所工作,他的个人性格、管理方法和怪异行为又导致他和这些天才产生矛盾,最后不欢而散而出走,其中八人决定一同辞职,这就是著名的八判逆事件。


八叛逆在Fairchild Semiconductor,1959年,从左至右:戈登·摩尔(Gordon Moore)、尤金·克莱尔(Eugene Kleiner)、谢尔顿·罗伯茨(Sheldon Roberts)、罗伯特·诺依斯(Robert Noyce)、维克多·格里尼克(Victor Grinich)、朱利亚斯·布兰克(Julius Blank)、金·赫尔尼(Jean Hoerni)、杰·拉斯特(Jay Last)。


八判逆的离开,如同随风四处散落的蒲公英的种子,茁壮成长,催生了硅谷及众多半导体公司的诞生。


1958年:Kilby提出了世界上第一款集成电路和原型。

同年、美国德州仪器TI的基尔比设计出世界第一款集成电路板,并申请专利。



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1959年:在仙童半导体Fairchild Semiconductor工作的罗伯特·诺依斯(Robert Noyce)基于仙童的平面工艺Planner Process和硅晶片上的扩散技术提出了制作集成电路的想法:在硅片上加上一层氧化硅作为绝缘层,然后在这层绝缘氧化硅上打洞,用铝薄膜将已用硅扩散技术做好的器件连接起来。诺伊斯起草了集成电路的专利申请书,他事先知道TI已向专利局递交了申请,但不知道TI专利的内容,因此他在自己的专利申请中强调仙童以平面工艺来制造集成电路的。尽管基尔比先于诺伊斯申请了集成电路的专利,但诺伊斯的平面连接工艺领先于基尔比的工艺,这也导致了多年关于第一个发明集成电路的归属权的争议。


1960年:Kahng和Atalla发明MOSFET,MOSFET的发明对于集成电路的大规模商业化应用奠定了基础。


1965年:摩尔在当年第35期《电子》杂志上发表迄今为止半导体历史上最具意义的论文,提出了非常有名的摩尔定理。摩尔天才地预言:集成电路上能被集成的晶体管数目,将会以每18个月翻一番的速度稳定增长,并在今后数十年内保持着这种势头。


1967年:Kahng和施敏基于MOSFET,使用浮栅技术,发明了非易失性半导体存储器,推动了半导体器件在电子产品的应用及发展。

同年,Dennard发明动态随机存储器DRAM Dynamic Random Access Memory.


1968年:摩尔和诺伊斯一起退出仙童公司创办了Intel,致力于开发当时计算机工业尚未开发的数据存储领域。


1969年:英特尔推出自己的第一批产品双极处理64位存储器芯片,代号为3101。

同年,被迫离开仙童的桑德斯创办了Advanced Micro Devices公司。


1970年:Boyle和Smith发明电荷耦合器件CCD Charge Coupled Device,这种器件后来大量应用于数码相机,手机和光检测系统。


1971年:英特尔的Hoff等人制造出世界第一个4位微处理器4004,这是半导体行业的一个里程碑。


1972年:英特尔推出第一个容量为1KB的[url=]动态随机存储器[/url]1103,它的诞生正式宣告了磁芯存储器的灭亡,并最终成全了个人电脑革命。


2000年:加州大学伯克利分校的胡正明Chenming Hu教授发明FinFET。





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