台积电将率先发布7nm FinFET技术
发布时间：2016-11-17 16:08
发布者：eechina
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来源：TechNews科技新报 台积电、三星、格罗方德等半导体大厂开启在7 纳米制程争战，而现在台积电有望领先群雄在2017 年国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）率先发布 7 纳米 FinFET 技术！ 全球IC 设计领域论文发布最高指标国际固态电路研讨会（ISSCC）下届确定于2017 年2月5~9 日在美国加州登场，台积电设计暨技术平台组织副总侯永清将担任特邀报告（Plenary Talks）讲者。 这次台积电5 篇论文获选（美国台积电 1 篇），2 篇论文为类比电路领域，内存电路设计则有3 篇。 值得关注的是，此次台积电将领先业界在大会上发布 7 纳米 FinFET 技术。揭示迄今最小位数SRAM 在7 纳米FinFET 的应用，验证0.027μm2 256 Mbit SRAM 测试芯片在7 纳米制程下，能大幅提升手机、平板电脑中央处理芯片运算速度，同时满足低功率需求。 台积电、三星通常以SRAM、DRAM 来练兵，先从内存下手，当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。台积电先前预估 10 纳米年底量产、7 纳米最快 2018 年第一季生产，然在英特尔宣布放缓 10 纳米以下制程投入进度后，台积电与三星在10 纳米、7 纳米先进制程展开激烈缠斗。 三星在10月初抢先台积电宣布10 纳米量产，市场近期传出台积电 7 纳米最快在明年2017 就可试产、4 月接单，拉升7 纳米制程战火。三星在7纳米就引进极紫外光（EUV）微影设备，力拼2017 年年底7 纳米量产。 而格罗方德则宣布跳过10 纳米，直接转进7 纳米，预估2017年下半可进行产品设计定案（tape out），2018 年初开始风险生产（risk production）。 |
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