ST发布两款40V汽车级MOSFET，提升噪声性能和能效
发布时间：2016-11-4 14:44
发布者：eechina
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意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）发布两款40V汽车级MOSFET。新产品采用意法半导体最新的STripFET F7制造技术，开关性能优异，能效出色，噪声辐射极低，耐误导通能力强。新产品最大输出电流达到120A，主要目标应用包括高电流的动力总成、车身或底盘和安全系统，同时优异的开关特性使其特别适用于电机驱动装置，例如电动助力转向系统(EPS)。 ST发布两款40V汽车级MOSFET，提升噪声性能和能效 
意法半导体的STripFET系列采用DeepGATE技术降低芯片单位面积导通电阻RDS(on)和RDS(on) x 栅电荷(Qg)值，在采用相同的功率器件封装条件能效非常优异。高雪崩特点是新产品另一大亮点。 通过降低体效应二极管的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr)，STripFET F7的开关性能尤其是能效大幅提升，同时软度更高的反向恢复可最大限度降低静电干扰 (EMI)，从而放宽对滤波器件的要求。此外，电容得到优化，使器件抗噪性得到改善，缓解了对缓冲电路的需求，阈压调校使器件具有良好的耐抗误导通性能，而无需专用栅驱动器。在电机驱动等电桥拓扑中，二极管软恢复方法有助于防止直通电流现象发生，从而提高驱动电路的可靠性。 40V STL140N4F7AG 和 STL190N4F7AG通过AEC-Q101标准认证，采用侧面支持湿法焊接的PowerFLAT 5x6封装。紧凑的封装面积和0.8mm的厚度支持高系统功率密度，此外侧面镀锡设计有助于提升焊接可靠性和寿命，100%支持自动光学检验工序。 40V车用STripFET F7 MOSFET即日起量产。 详情访问:www.st.com/stripfetf7 |
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