艾迈斯半导体公布面向模拟代工客户的2017年多项目晶圆制造服务计划
发布时间：2016-10-25 13:47
发布者：eechina
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180nm CMOS专业制程技术和HV-CMOS MPW在艾迈斯半导体位于奥地利的200mm晶圆制造工厂运行 艾迈斯半导体今日公布其快速、低成本的集成电路原型设计服务——多项目晶圆（MPW）或往复运行（shuttle run）2017年度服务计划表。该服务将不同客户的多种IC原型设计需求融入单片晶圆设计中，由于晶圆和掩膜的成本由多个客户均摊，因此该项服务将有效降低每个客户的成本。 
艾迈斯半导体世界领先的MPW服务提供180nm和0.35µm两个工艺节点的制程，包括最近推出的180nm的CMOS （“aC18”）工艺MPW服务。aC18专业制程技术支持大量的1.8V 和5.0V NMOS和PMOS器件（包括基于衬底、浮动、低漏和高阈值电压多种选择）以及经过完整验证的被动器件如多种电容器。同时包括占位面积经优化且密度高达152kGates/mm²的高密度及低功耗数字库、更新的最多可达6个金属层的数字及模拟输入输出库，以及高达8kV HBM ESD保护单元。艾迈斯半导体的aC18制程适用于各种应用的传感器及传感器接口。所有运用aC18专业制程技术的2017年度MPW都会在艾迈斯半导体位于奥地利的领先200mm晶圆制造工厂进行生产，以确保缺陷密度最低化和高产量。 除了四批次的aC18多项目晶圆的运行，艾迈斯半导体同时提供四批次领先的180nm高压CMOS（aH18）工艺MPW服务，180nm高压COMS工艺支持1.8V、5V、20V及50V电压的器件。艾迈斯半导体预计将于2017年提供14批次与0.35μm高压CMOS生产工艺兼容的MPW服务，充分利用其在汽车和工业应用中的高压设计，支持20V、50V以及120V的器件以及真正电压可拓展的晶体管。先进的可嵌入EEPROM的高压CMOS工艺和0.35µm SiGe-BiCMOS工艺技术S35能够与CMOS基础工艺有效兼容，共同构成艾迈斯半导体的MPW服务。 总体而言， 艾迈斯半导体将在2017年通过与CMP, Europractice, Fraunhofer IIS 及 Mosis世界各地的合作企业进行合作，提供近150个MPW服务。 亚太地区客户也可以通过艾迈斯半导体在当地的MPW合作伙伴——Toppan Technical Design Center Co., Ltd (TDC) 和 MEDs Technologies公司参与该项目。 2017年的完整MPW计划表已经发布，欲了解各工艺的具体启动时间，请访问：www.ams.com/MPW 为了更好地利用MPW服务，艾迈斯半导体公司的晶圆代工客户可在指定日期前将完整的GDSII数据发送至艾迈斯半导体公司。采用普通CMOS工艺并未经测试的封装样品或裸片通常将在8周左右送至客户；采用高电压CMOS、SiGe-BiCMOS以及嵌入式闪存工艺生产的样片将于12周左右递送至客户手中。 所有工艺技术均得到了艾迈斯半导体知名的hitkit设计套件支持，该套件基于Cadence、Mentor Graphics或Keysight ADS设计环境而开发。它包含全面的硅认证标准单元、外围电路单元库、通用模拟元件，如比较器、运算放大器、低功耗模数和数模转换器。定制的模拟和射频器件、Assura和Calibre物理验证规则以及具有精确特性的电路仿真模型，均有助于复杂的高性能混合信号集成电路设计的快速启动。除了标准原型服务之外，艾迈斯半导体还提供先进的模拟IP模块、存储器（RAM/ROM）生成服务和陶瓷或塑料封装服务。 了解更多关于艾迈斯半导体晶圆代工事业部的全面服务和技术组合信息，请访问：www.ams.com/foundry |
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