英飞凌推出800 V CoolMOS P7系列,设立效率和散热性能的新基准

发布时间:2016-9-20 11:28    发布者:eechina
关键词: CoolMOS , MOSFET , 超级结
英飞凌科技股份公司推出800 V CoolMOS P7系列。该800 V MOSFET基于超级结技术,兼具出类拔萃的性能和优异的易用性。这个新的产品家族非常适于低功率SMPS应用,可完全满足性能、易于设计和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式拓扑,这种拓扑常见于适配器、LED照明、音频、工业和辅助电源等应用。

DPAK-800-V-CoolMOS-P73.jpg

TO-247_800V_CoolMOS_P7.jpg

TO-251-800-V--CoolMOS-P72.jpg

800 V CoolMOS P7系列可将效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3,或者比之典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品,这相当于将MOSFET温度降低2到8 °C。这个新基准源于一系列优化器件参数,包括Eoss和Qg降低50%以上,以及降低Ciss和Coss。这些出色的性能优化可以降低开关损耗,改善DPAK封装能实现的最低 RDS(on)值,从而实现更高功率密度的设计。总而言之,这有助于客户节省物料成本,减少组装工作量。

易用性是这个产品家族从设计上就实现的固有特性。其集成式齐纳二极管可大幅提升静电防护能力,从而减少与静电放电有关的产量损失。这个MOSFET拥有行业领先的高达3 V的V(GS)th和仅±0.5 V的最小VGS(th)波动范围。这个组合不仅可以降低驱动电压和开关损耗,还它有助于避免线性区内发生意外操作。

供货情况
800 V CoolMOS P7 MOSFET家族将提供12个RDS(on)级别和6种封装,以全面满足目标应用的需求。RDS(on)为280 mΩ、450 mΩ、1400 mΩ和4500 mΩ的产品现已可订购。如欲了解更多信息,请访问www.Infineon.com/p7

本文地址:https://www.eechina.com/thread-174172-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

相关视频

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表