阻抗偏高到60~65欧姆有什么危害(上)

发布时间:2016-1-11 16:07    发布者:eechina
关键词: 阻抗偏高 , PCB设计 , 高速PCB
一博科技

在《避开假八层的温柔陷阱----浅谈六层板的叠层》一文中,文章结尾我们提出了一个问题:当主线段阻抗不是50欧姆,而是偏离到60~65 欧姆,这样对信号来说到底有什么危害呢?很多网友都给出了自己的答案,这些答案分别从不同的角度对阻抗变高对信号的影响做出了分析。很多情况下,我们只是定性的分析一下,知道阻抗偏高对信号不好,至于这种影响到底到什么程度恐怕也很难说清楚。下面就让我们通过仿真实例来看看,阻抗偏高到60~65欧姆对信号到底有什么危害。

1、    从反射角度分析

一般情况下,板子上的DDR信号较多,且DDR信号传输速率也不低,我们就以DDR主控芯片为例来仿真验证一下。首先搭建如下拓扑结构:

image001.jpg
图1

主控芯片是飞思卡尔的P1020,接收端选用的是美光DDR3颗粒。信号速率为800Mbps。中间传输线的阻抗分别取40,50,60,65欧姆,对比U1端接收到的波形,如图2所示:

image002.jpg
图2

由图2可知,在传输线阻抗为65欧姆的时候,信号波形的过冲很大,已经超出了芯片的耐压值,像这种情况,作为SI工程师就必须采取一定的措施了,通常是给通道加上端接电阻。那么在有串联电阻端接的情况下,信号波形又是什么样的呢?我们来验证一下。

在图1的拓扑结构中加入串联电阻,如下图3所示:

image003.jpg
图3

与上面的例子一样,扫描中间传输线阻抗,得到的波形如下图4所示:

image004.jpg
图4

由图4可知,和没有加串阻时候的趋势一样,传输线阻抗较高时,信号的过冲大一些。在添加串联电阻之后,信号的过冲被降了下来,可见串阻的作用是很明显的。

加串阻只是其中的一种改善措施,像DDR地址信号一般会加上拉电阻,加上上拉电阻后又会怎样呢?还是来仿真一下,拓扑结构如下图5所示:

image005.jpg
图5

同样,扫描中间一段传输线阻抗,波形如下图6:

image006.jpg
图6

由图6可知,在有上拉电阻的时候,主线段阻抗变化对波形的影响也是较小的。

数据信号一般都有终端ODT端接电阻,我们再来看一下在打开ODT状态下,信号线阻抗变化对信号的影响。信号速率为1.6Gbps,接收端使用60欧姆ODT(其实从反射的原理中,我们可以知道ODT取值的大小会影响反射的幅值,这里我们主要比较主线段阻抗变化对信号质量的影响,所以接收端选取了一个固定的ODT阻值)。

仿真波形如下图7所示:

image007.jpg
图7

由上图7可知,在打开ODT情况下,过冲很小,且四种阻抗对应的波形差异很小,这样主线段阻抗偏离对信号的影响几乎可以忽略了。

上面仿真实例简单分析了传输通道的四种情况,当然现实的拓扑结构可能要比这个复杂一些,但是上面的这四种情况也是能够说明一些问题的,相信网友们已经发现了一些规律。

由于篇幅限制,从其它角度分析阻抗偏高对信号带来的影响将在下篇文章中呈现,敬请期待…

本文地址:https://www.eechina.com/thread-159918-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表