晶丰BP2857D 、BP2836D 非隔离驱动

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晶丰明源：BP3133A  BP3125   BP3126   BP3135D  BP3136D  BP2831A   BP2832A  BP2833A/D   BP9833A  BP2325A     BP2326A  BP2327A  BP2338   BP2329A   BP3309   BP3319MB  BP5609  BP3122B  B3122  BP2818  BP3516    QQ  289-271-5427  LED驱动方案 设计

12-40瓦	隔离	BP3309	90~264VAC	0.9	15-30*1W	88%	原边反馈APFC；启动时间小于200mS；过认证
> 12瓦	隔离	BP3319M	90~264VAC	0.9	10-18*1W	89%	原边反馈APFC；温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证
	隔离	BP3319M	90~264VAC	0.9	19-36*1W	90%	原边反馈APFC；温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证
	隔离	BP3319M	90~264VAC	0.9	38-60*1W	91%	原边反馈APFC；温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证
<  100mA	非隔离	BP5129	200~240VAC	0.4	250V/65mA	90%	无需EMI器件；光电一体引擎方便生产；     相比CRD而言，有更好的效率和更小的输入功率波动
<  220mA	非隔离	BP2832A	176~264VAC	0.5	130V/120mA	92%	内置功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁；单绕组电感；     自带OVP保护；仅10个外围元件
< 350mA	非隔离	BP2833A/BP2833D	176~264VAC	0.9	80V/240mA	92%	内置高压功率MOSFET；单绕组电感；内置OVP保护。
< 500mA	非隔离	BP2836D	176~264VAC	0.9	130V/300mA	92%	内置高压功率MOSFET；单绕组电感；内置OVP保护。
<  350mA	非隔离	BP2327A	176~264VAC	0.9	80V/240mA	93%	APFC技术；内置高压功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁；     超小体积（日光灯单堵头）；单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高；
<  350mA	非隔离	BP2328A/BP2328D	90~264VAC	0.9	80V/240mA	93%	APFC技术；内置高压功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁；     超小体积（日光灯单堵头）；单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高；
< 2A	非隔离	BP2329A	90~264VAC	0.9	80V/240mA	93%	APFC技术；温度控制技术确保高温工作不闪烁；     单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高；
	隔离	BP3108	176~264VAC	0.5	7*1W	80%	PWM、Analog、可控硅调光；原边反馈；过认证
	隔离	BP3318	90~264VAC	0.9	10-18*1W	89%	原边反馈APFC；PWM、Analog  调光；     温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证；
	非隔离	BP3211	90~132VAC	0.9	40V/150mA	83%	内置功率MOSFET；自带OVP保护；外围元器件少；单绕组电感；BOM成本低；     兼容绝大部分低压调光器；PWM、Analog、可控硅调光；过认证
	非隔离	BP3212	90~132VAC	0.9	42V/240mA	88%	内置功率MOSFET；自带OVP保护；外围元器件少；单绕组电感；BOM成本低；     兼容绝大部分低压调光器；PWM、Analog、可控硅调光；过认证
	非隔离	BP3218	90~132VAC	0.9	37V/400mA	88%	自带OVP保护；外围元器件少；单绕组电感；BOM成本低；     兼容绝大部分低压调光器；PWM、Analog、可控硅调光；过认证
	非隔离	BP2318	90~264VAC	0.9	80V/240mA	93%	APFC技术；PWM、Analog  调光；温度控制技术确保电源寿命；
	非隔离	BP2818	90~264VAC	0.5	40V/120mA	88%	PWM、Analog、可控硅调光；通过EMI测试

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