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发表于 2010-7-17 14:02:21
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SLC和MLC的价格差很多，比如256M的SLC nand价格就和1G的MLC nand一样。MLC优势确实正在日益凸显，很快就会成为闪存的主力。至于说它存储慢、安全性低，这个都是很久以前的事情了，随着各大芯片生产商对它的完善，现在MLC技术已经比较成熟，这些问题也就模糊了。
总之，建议你还是选择1GMLC的NAND，一是学习过程中它的驱动架构值得了解，再就是使用上1G比256M的爽很多。貌似现在低价位开发板中只有飞凌在用1G的NAND。
以下文字可供参考：
http://tech.sina.com.cn/digi/2007-01-11/0545214265.shtml
Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盘和MP3中最常用的内存就是Nand Flash。
Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。
SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据，这样同样大小的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
区分SLC(停产)和MLC（现在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）
1、看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。
2、测试读写速度：SLC的非常快，MLC的很慢。
SLC闪存：即单层式储存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及东芝都是此技术使用者
MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌（Infineon）与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell；MBC）。
除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技术上占据优势，但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存，从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。
MLC闪存技术并非没有不足，实际上，在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的演进，在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了，使得检测存储的信息变得更加困难，尤其是对MLC芯片而言，它需要识别四个电压值，而非两个。尽管如此，据报道，东芝在70nm工艺中能够保证采用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐，最少是就现在而言。
对于我们消费者而言，最关心的就是产品的质量问题，因此，网上流传很多说法，好像只有使用SLC闪存的产品才是质量好的产品，其实不尽然，产品的质量好坏第一个关节是采用的物料的好坏，第二个关节是厂家是否在生产过程中偷工减料。这两者都是很重要的。再其次，就是产品的成熟程度，一般刚推出来的产品一般都会存在一些不为人知的问题，只能靠以后的不断改进才能使产品日趋完善
随着MP3、MP4控制芯片的更新换代和软件控制技术的更新，克服了很多难关，目前对于MLC闪存芯片的架驽能力已经很成熟了，再加上MLC闪存生产技术的改进，因此目前很多厂家（包括IPOD）都采用MLC闪存用于消费类数码产品的生产，尤其是大容量的数码产品，非它不可！ |
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