美科学家研制最新半导体薄膜,仅为三个原子厚

发布时间:2015-5-18 10:44    发布者:eechina
关键词: 半导体薄膜 , 二硫化钼
美国科学家首次制造出厚度仅为三个原子的二硫化钼半导体薄膜,其不仅身材纤细,而且拥有优异的电学属性,可广泛用来制造各种超薄的电子设备。

该研究的领导者、康奈尔大学化学和化学生物学助理教授吉沃格·帕克说:“新得到的二硫化钼半导体薄膜的电学性能可与二硫化钼单晶体相媲美,但我们得到的并非纤薄的晶体,而是4英寸的晶片(晶体上按一定方位角切下的薄片)。”

帕克说,以前的大量研究中,二硫化钼只能分散地种植出来,就像海上孤立的岛屿一样,但制造出像纸片一样光滑、平坦、超纤薄的薄片是通往实际设备应用的必经之路。

研究人员利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制造出了所需的薄片,该技术广泛应用于工业领域,但使用的是其他材料。据每日科学网报道,在最新研究中,帕克团队对这一技术进行了系统性优化,对环境和温度进行了调整,从而制造出了新的薄膜。他们发现,使用一点氢气并处于一个完全干燥的环境中,晶体就能完美地生长在一起。

该研究论文的联合作者、康奈尔大学应用和工程物理学教授戴维·穆勒领导的研究人员借助先进的透射电子显微镜,在薄膜生长时,对薄膜的质量和性能进行了测试。研究结果表明,这种厚度仅为三个原子的半导体薄膜可与二氧化硅逐层堆积在一起,从而制成多层且超级纤薄的电子设备,研究发表在近期出版的《自然》杂志上。

研究人员还对MOCVD方法稍作修改,制造出了拥有不同电学属性和颜色的二硫化钨薄膜,他们希望能进一步改进这一方法,制造出仅为数个原子厚度的其他薄膜,并最终制造出新奇的电子设备和光电设备。

来源: 科技日报

本文地址:https://www.eechina.com/thread-149452-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表