Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列,提供最低的导通电阻和多种可选封装

发布时间:2015-3-10 10:57    发布者:eechina
关键词: SuperFET , MOSET
全新的 SuperFET MOSET 系列将最低的导通电阻 (Rdson)、最低的输出电容 (Coss) 和广泛的可选封装相结合,为设计师提高灵活性

Fairchild今日推出 800V SuperFET II MOSFET 系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻 (Rdson) 和输出电容 (Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要 600V/650V 以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性,同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。

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800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性,加上出色的效率和热特性,使其成为各种应用的理想之选。同时,多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性,在尺寸受限的设计中尤为如此。该系列的关键应用包括 LED 照明、LED 电视和家庭影院音响设备的电源、电源适配器、服务器、工业电源和辅助电源及微型太阳能逆变器

“借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列,制造商可提高产品的效率和可靠性。由于优越的开关性能和低导通电阻,此系列的效率明显优于最接近的竞争产品,”Fairchild 的首席技术市场工程师 Wonhwa Lee 说。“新系列采用最新的超级结技术,实现小形状因数及更胜以往的高效率,其耐用的内置二极管在高 dv/dt 条件下可提高工业桥式电路的可靠性。”

Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范围为 4.3 欧姆至业内最低 60 毫欧的26个器件(均以各种标准封装提供)组成,为设计师在针对特定应用采用最佳器件中提供更多选择和灵活性。例如,FCD850N80Z 是该系列的主要成员,将 DPAK 中异常低的850 毫欧 Rdson(最大值)与比主要竞争产品低 6~11% 的Rdson (最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相结合,使其成为需要低导通电阻和尺寸受限的 LED 照明应用的理想之选。

Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成员包括:
RdsonTO-247D2-pakTO-220TO-220FD-pakI-pak
(最大值)(TO-252)(TO-251)
[mΩ]  
4,300   FCPF4300N80Z FCU4300N80Z
3,400    FCD3400N80Z*FCU3400N80Z*
2,250   FCPF2250N80ZFCD2250N80ZFCU2250N80Z
1,300   FCPF1300N80ZFCD1300N80Z 
FCPF1300N80ZYD*
850  FCP850N80Z*FCPF850N80ZFCD850N80ZFCU850N80Z
650  FCP650N80Z*FCPF650N80Z  
400  FCP400N80Z*FCPF400N80Z  
FCPF400N80ZL1**
290 FCB290N80*FCP290N80*FCPF290N80*  
220  FCP220N80*FCPF220N80*  
85FCH085N80_F155*     
60FCH060N80_F155*     
(*: 开发中)

要了解 Fairchild SuperFET II MOSFET 技术的更多信息,请访问 https://info.fairchildsemi.com/F ... _MOSFET_Family.html


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