TI推出NexFET N沟道功率MOSFET，可实现业界最低电阻

发布时间：2015-1-22 13:30 发布者：eechina

采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件

德州仪器 (TI) 推出其NexFET 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。如需获取更多信息、样片或参考设计，敬请访问：www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。

CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率，同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大导通电阻，而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的最大导通电阻。请下载阅读一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计，来进一步进行了解。

TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与面向DC/DC控制器应用的LM27403配合使用，从而构成一套完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720等TI热插拔控制器配套使用。阅读《稳健可靠的热插拔设计》，可进一步了解如何将一个晶体管选用为传输元件，以及怎样在所有可能的情况下确保安全运作。

如下是TI 推出具有业界最低导通电阻的NexFET™ N沟道功率MOSFE。

新型 NexFET 产品及主要特点

器件型号	应用	Vds/Vgs	封装 (mm)	导通电阻最大值 (mΩ)		Qg (4.5) (nC)
器件型号	应用	Vds/Vgs	封装 (mm)	4.5V	10V	Qg (4.5) (nC)
CSD16570Q5B	ORing / 热插拔	25/20	QFN 5x6 (Q5B)	0.82	0.59	95
CSD17570Q5B	ORing / 热插拔	30/20	QFN 5x6 (Q5B)	0.92	0.69	93
CSD17573Q5B	低端降压 / ORing / 热插拔	30/20	QFN 5x6 (Q5B)	1.45	1	49
CSD17575Q3	低端降压	30/20	QFN 3.3x3.3 (Q3)	3.2	2.3	23
CSD17576Q5B	低端降压	30/20	QFN 5x6 (Q5B)	2.9	2	25
CSD17577Q5A	高端降压	30/20	QFN 5x6 (Q5A)	5.8	4.2	13
CSD17577Q3A			QFN 3.3x3.3 (Q3A)	6.4	4.8	13
CSD17578Q3A				9.4	7.3	7.9
CSD17579Q3A				14.2	10.2	5.3
CSD85301Q2	双路独立 FET	10月20日	QFN 2x2 (Q2)	27	不适用	4.2
CSD13383F4	负载开关	12月10日	FemtoFET 0.6x1.0 (0402)	44	不适用	2

供货情况、封装和价格
目前，FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 产品可通过 TI 及其授权分销商批量采购。

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