英飞凌新型LTE低噪声放大器和LNA Bank让智能手机数据速率提升高达96%
发布时间：2015-1-12 13:59
发布者：eechina
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英飞凌（Infineon）近日推出旨在提高智能手机数据速率的全新系列LTE低噪声放大器(LNA)和四频LNA Bank。 LTE（也称为4G）是无线通信最新标准，支持高达300 Mbit/s的数据速率，而最新的UMTS (3G) 版本仅支持56 Mbit/s。这使得智能手机与互联网连接的加载时间大幅缩短，显著提高智能手机用户的舒适性和满意度。 但是，使用目前的移动设备满足用户对LTE高数据速率的期望仍具有挑战性。射频前端复杂度的增加要求使用更多的射频组件（如射频开关、双工器和分路器）。这将导致整个系统的损耗增加并使信噪比(SNR)降低。不仅如此，天线和射频收发器之间的距离会导致额外的线路损耗，而线路损耗也会对信噪比(SNR) 产生负面影响，进而降低数据速率。 英飞凌BGA7x1N6和BGM7xxxx4L12系列提供低噪声系数、精确的增益和高线性度，可帮助智能手机设计师克服这些困难。这些产品采用英飞凌高级SiGe（硅锗）芯片技术并内置ESD保护。 新型LNA和LNA Bank均可放置于智能手机的分集和主天线路径上，可增加系统灵敏度并确保最佳的用户体验。它们支持的数据速率比未配备LNA的解决方案高出96%，可完全开发LTE的潜力。即使在天线隔离度较差并且天线与收发器之间存在较大线路损耗的情况下，新设备系列的高线性度仍可确保最佳接收性能。与未配备LNA的系统相比典型灵敏度提高了3.4 dB，而所需设备尺寸却比之前可用的LNA Bank小61% (1.9 mm x 1.1mm)。 · BGA7L1N6 · BGA7M1N6 · BGA7H1N6 设备使用符合ROHS标准的TSNP-6-2或TSLP 12-4塑料包装进行装运。 |
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