ALLIANCE新推出覆盖1 GB，2 GB和4 GB密度的高速CMOS DDR3，78球和96球FBGA封装
发布时间：2015-1-12 13:18
发布者：eechina
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ALLIANCE新推出覆盖1 GB，2 GB和4 GB密度的高速CMOS DDR3，78球和96球FBGA封装 加州圣卡洛斯,2014/7/26-- Alliance Memory（联盟记忆）今天推出了一个新的第三代高速CMOS双数据率同步DRAMs (DDR3 SDRAM)和低压DDR3L SDRAMs。容量为1 Gb,2 Gb,4 Gb，9mm FBGA78球状封装。规格为10.5mm*1.2mm和FBGA96球状封装，规格为13mm*1.2mm。今天发布的器件为双倍数据速率架构，提供高达1600 Mbps极快的转移率和800 MHz的时钟频率。 公司以最小收缩管芯提供可靠DDR3(1.5 V)和DDR3L(1.35 V)SDRAMs，类似引脚兼容替代的解决方案，以结合新一代微处理器用于工业、消费者、和通信应用中——不再需要昂贵的重新设计和部分风险评估。 AS4C128M8D3、AS4C64M16D3、AS4C128M16D3、AS4C256M8D3、AS4C256M16D3和AS4C512M8D3、DDR3 SDRAMs工作电压从一个+ 1.5 V(双±0.075 V)电源、AS4C64M16D3L、AS4C128M8D3L、AS4C128M16D3L、AS4C256M8D3L、AS4C256M16D3L、AS4C512M8D3L DDR3L SDRAMs工作从一个+ 1.35 V电源。器件提供0°C---+ 95°C的商业温度范围和-40°C---+ 95°C的工业温度范围。 DDR3和DDR3L SDRAMs提供64M,128M,256M和512M,x 8bit或16bit可内部配置8个扇区。器件提供完全同步操作,并提供可编程4或8bit的可变长度读或写。自动预充电功能可变时序结束时提供启动自定时行预充电。易于使用的功能包括自动刷新或者自刷新,和一个允许系统选择最合适模式的可编程寄存器,从而最大限度地提高性能。 器件的(Pb)和无卤适用RoHS规范。 |
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