IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的中压功率MOSFET产品
发布时间:2010-7-2 11:39
发布者:嵌入式公社
国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。 新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能,适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压,所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。 所有器件都具有低热阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 标准,所采用的环保材料既不含铅、溴或卤,也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。 产品基本规格
新器件现已接受订单,数据表和应用说明已刊登于 IR 的网站 http://www.irf.com。 |
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