IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的中压功率MOSFET产品

发布时间:2010-7-2 11:39    发布者:嵌入式公社
关键词: MOSFET , 中压
国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能,适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压,所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。

所有器件都具有低热阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 标准,所采用的环保材料既不含铅、溴或卤,也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。

产品基本规格

  
器件编号
  
  
封装
  
  
电压
  
      
导通电阻
  
  
栅极电荷类型
  
  
栅极
  
  
IRFH5004TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
40 V
  
  
100A
  
  
2.6 mOhm
  
  
73 nC
  
  
标准
  
  
IRFH5006TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
60 V
  
  
100A
  
  
4.1 mOhm
  
  
67 nC
  
  
标准
  
  
IRFH5106TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
60 V
  
  
100A
  
  
5.6 mOhm
  
  
50nC
  
  
标准
  
  
IRFH5206TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
60 V
  
  
98A
  
  
6.7 mOhm
  
  
40 nC
  
  
标准
  
  
IRFH5406TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
60 V
  
  
40A
  
  
14.4 mOhm
  
  
23 nC
  
  
标准
  
  
IRFH5007TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
75 V
  
  
100A
  
  
5.9 mOhm
  
  
65 nC
  
  
标准
  
  
IRFH5207TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
75 V
  
  
71A
  
  
9.6 mOhm
  
  
39 nC
  
  
标准
  
  
IRFH5010TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
100 V
  
  
100A
  
  
9.0 mOhm
  
  
65 nC
  
  
标准
  
  
IRFH5110TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
100 V
  
  
63A
  
  
12.4 mOhm
  
  
48 nC
  
  
标准
  
  
IRFH5210TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
100 V
  
  
55A
  
  
14.9 mOhm
  
  
39 nC
  
  
标准
  
  
IRFH5015TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
150 V
  
  
56A
  
  
31 mOhm
  
  
33 nC
  
  
标准
  
  
IRFH5020TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
200 V
  
  
41A
  
  
59 mOhm
  
  
36 nC
  
  
标准
  
  
IRLH5034TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
40 V
  
  
100A
  
  
最大2.4 mOhm
  
  
43 nC
  
  
逻辑电平
  
  
IRLH5036TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
60 V
  
  
100A
  
  
最大4.4 mOhm
  
  
44 nC
  
  
逻辑电平
  
  
IRLH5030TRPBF
  
  
PQFN 5x6mm
  
  
100 V
  
  
100A
  
  
最大9.0 mOhm
  
  
44 nC
  
  
逻辑电平
  


新器件现已接受订单,数据表和应用说明已刊登于 IR 的网站 http://www.irf.com
本文地址:https://www.eechina.com/thread-14319-1-1.html     【打印本页】

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