ST的600W - 250V RF晶体管采用最新高压技术,实现体积更小、性能更可靠的E级工业电源

发布时间:2014-11-4 15:33    发布者:eechina
关键词: 功率晶体管 , 高功率密度 , 工业电源
意法半导体(ST)的13.6MHz RF功率晶体管STAC250V2-500E具有市场领先的稳定性和高功率密度 (power density) 。采用热效率 (thermally efficient) 极高的微型封装,可用于大输出功率的E级工业电源。

ST的600W - 250V RF晶体管采用最新高压技术,实现体积更小、性能更可靠的E级工业电源

ST的600W - 250V RF晶体管采用最新高压技术,实现体积更小、性能更可靠的E级工业电源


STAC250V2-500E的负载失匹率 (load-mismatch) 为20:1,处于市场最高水平,最大安全功率高达600W。与采用传统陶瓷封装的解决方案相比,0.55x1.35吋STAC® 气室封装 (air-cavity package) 可缩减产品尺寸约50%。两支STAC250V2-500E晶体管的占位面积小于一个陶瓷晶体管,可实现高于1kW的小型电源设计。气室封装可降低25%的热电阻率 (thermal resistance) ,这有助于提高晶体管的工作可靠性。

STAC250V2-500E的产品优势可确保目标应用的卓越性能,包括感应加热器 (induction heater),等离子体增强气相沉积系统 (plasma-enhanced vapor-deposition system) 和太阳能电池和平板电视的制造设备。

STAC250V2-500E采用意法半导体最新的SuperDMOS高压技术,最大工作电压为250V;而高于900V的击穿电压 (breakdown voltage) 确保E级电感式谐振电路 (inductive resonant circuit) 或D级功率放大器 (power amplifier) 等其它应用的稳定性。

STAC250V2-500E目前已开始量产,采用 STAC177 封装。

欲了解更多关于STAC250V2-500E的 产品详情,请登录http://www.st.com/rfdmos

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