赛普拉斯高容量F-RAM增添新的封装方式和温度范围选项
发布时间：2014-9-29 13:41
发布者：eechina
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赛普拉斯半导体的铁电随机存取存储器（F-RAM）产品系列中的1Mb并行异步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封装方式，其2 Mb串行外设接口（SPI）F-RAM的温度范围扩展为-40˚C 至 +105˚C。 新封装方式可在替代标准的电池供电的SRAM时实现管脚兼容，应用于工业自动化、计算、网络和汽车电子应用中的关键任务系统中。F-RAM与生俱来的非易失性可以实现瞬间数据捕获，无需电池即可实现长达百年的保存时间。弃用电池可以降低系统成本和复杂性。2 Mb SPI F-RAM扩展温度范围则是为了适应很多高性能应用中的严苛工作条件。 赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Rainer Hoehler说：“赛普拉斯可提供业界最快、能效最高的非易失性RAM解决方案，并且我们致力于不断扩充我们的产品线。我们很高兴为我们的F-RAM客户提供这些新的封装和扩展温度范围的产品。” 供货情况 44-pin TSOPII 封装的1 Mb并行异步接口F-RAM器件，以及-40˚C 至 +105˚C扩展温度范围、8-pin TDFN 封装的2 Mb SPI F-RAM均将于2014年9月供货。 |
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