采用3D TSV技术，三星业内首先量产企业级服务器用DDR4内存
发布时间：2014-8-27 10:33
发布者：eechina
三星电子今日宣布，已开始正式量产业内首款基于3D TSV（through silicon via, 硅通孔）封装技术的64GB DDR4 RDIMM内存。该款高密度高性能的内存模块不仅能推动企业级服务器和云计算环境下应用程序的不断发展，也会在数据中心解决方案的进一步多样化上起到关键性作用。
新推出的RDIMM内存由36个DDR4 DRAM芯片组成，而每片芯片又包含4颗4Gb的DDR4 DRAM裸片。这款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20纳米级制程技术和3D TSV封装技术。 
三星电子存储芯片事业部内存市场营销负责人白智淏副总裁表示：“通过推出采用3D TSV技术的尖端解决方案，三星力求加强在DRAM市场的竞争优势，并进而推动全球DRAM市场的增长。预计今年下半年下一代CPU即将问世，而DDR4市场规模也有望随之显著扩大。此次推出的采用3D TSV封装技术的高效节能型DDR4内存模块，正是三星领先主流DDR4市场的又一新作。” 继去年首次量产3D V-NAND闪存之后，三星此次量产3D TSV内存模块标志着存储技术史上的一个新的里程碑。如果说3D V-NAND技术实现了单颗裸片上各个存储单元如高楼般的垂直堆叠结构，那么创新性的3D TSV封装技术则实现了多层堆叠的裸片之间的垂直互连。通过此次推出全新的TSV内存模块，三星更加稳固了其在“3D内存时代”的科技领先地位。 为了成功制造一个3D TSV DDR4 DRAM封装，需要将DDR4裸片研磨至厚度仅为数十微米，并打出数百个通孔。有源电路直接穿过这些通孔，而裸片之间则通过有源电路实现垂直互连。因此，与引线键合封装技术相比，采用TSV封装技术的64GB内存模块速度最高提升一倍，而能耗也降低约一半。 今后，三星有望采用3D TSV技术将DDR4裸片堆叠4层以上，制造出密度更高的内存模块。鉴于服务器市场正加速从DDR3向DDR4过渡，预计此举将加快高端内存市场的扩大。 自2010年和2011年分别成功研发出基于3D TSV技术的40纳米级8GB DRAM RDIMM和30纳米级32GB DRAM RDIMM以来，三星一直在不断改善3D TSV技术。今年，三星专为TSV封装开始运行了一套新的制造系统，用来量产新型服务器用内存模块。 据Gartner的研究报告，全球DRAM市场规模预计将于年内在金额上达到386亿美元，在容量上达到298亿Gb。其中服务器市场将约有67亿Gb，约占今年整个DRAM生产规模的20%以上。 |
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