IR扩充60V StrongIRFET MOSFET系列

发布时间:2014-7-7 11:49    发布者:eechina
关键词: StrongIRFET , MOSFET
以标准和高性能功率封装为工业应用提供极低导通电阻

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用,包括电动工具、轻型电动车 (LEV) 逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关模式电源 (SMPS) 二次侧同步整流应用等。

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经过扩充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封装和表面贴装封装,其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封装,可提供大电流密度,有效缩减整体系统尺寸并降低成本,适用于空间受限的大功率工业设计。

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件,均配有可提升低频率应用性能的极低导通电阻、极高的载流能力、软体二极管和有助于提高噪声免疫力的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试,能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR广泛的60V StrongIRFET MOSFET产品系列具有适合工业市场的低导通电阻和大电流能力,并提供多种封装选择,使设计师能够基于性价比标准灵活选择最适合其应用的器件。”

与DirectFET系列的其它器件一样,全新IRF7580M中罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含铅的物料清单,因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类高性能封装则采用含铅的裸片贴装,虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款,但这项豁免将于2016年到期。

规格        

采用表面贴装封装的60V StrongIRFET
器件编号BVDSS25ºC时的IDVGS为10V时的最大导通电阻VGS为10V时的Qg封装
IRF7580M60V116A3.6120中罐式 (ME)  DirectFET
IRFS7530-7P240A1.4256D2-PAK-7
IRFS7534-7P240A1.9200D2-PAK-7
IRFS7530195A2274D2-PAK
IRFS7534195A2.4180D2-PAK
IRFH7085100A3.2110PQFN 5x6 (B)
IRFR7540110A4.885D-PAK
IRFS7537195A3.3142D2-PAK
IRFS7540110A5.188D2-PAK
IRFH754585A5.273PQFN 5x6 (E)
IRFR754671A7.958D-PAK

采用穿孔式封装的60V StrongIRFET
器件编号BVDSS25ºC时的IDVGS为10V时的最大导通电阻VGS为10V时的Qg封装
IRFB753060V195A2274TO-220
IRFP75302274TO-247
IRFB75342.4186TO220
IRFB75373.3142TO-220
IRFP75373.3142TO-247
IRFB7540110A5.188TO-220
IRFB754585A5.975
IRFB754658A7.358

产品现正接受批量订单。相关数据和SPICE模型,请浏览IR的网站http://www.irf.com
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