IR为工业应用推出大罐式DirectFET MOSFET系列，具备极低导通电阻
发布时间：2014-6-19 11:20
发布者：eechina
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具备双面散热功能，可提供最佳传热性能，提升功率密度。由于提供最佳的裸片对占位面积比，DirectFET可有效缩减电路板尺寸。新器件还具备0.7mm的超薄厚度，为受空间限制的高功率工业电源设计提供理想的解决方案。 与DirectFET系列的其它器件一样，全新的工业用大罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求，例如提供完全不含铅的物料清单，因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类型的高性能封装则包含采用含铅的裸片贴装，虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款，但这项豁免将于2016年到期。 IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“DirectFET系列新增大罐式封装器件后，继续领先业界成为市场上最可靠、最高性能的MOSFET封装产品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面积比D2PAK等传统的大型塑料表面贴装功率封装显著减小，而且增加了上方散热性能，因而非常适合空间受限的长寿命工业电源设计。” 全新40V到150V大罐式封装器件符合第一级湿度敏感度业界标准 (MSL1)。 规格
产品现正接受批量订单。相关数据和MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站http://www.irf.com。 |
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