富士通半导体推出拥有1Mb内存的全新FRAM器件,拥有I2C接口

发布时间:2014-2-25 10:41    发布者:eechina
关键词: FRAM
适用于工厂自动化控制、测验仪器及工业设备

富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,成功开发出拥有1Mb内存 (128K字符X 8位)的全新FRAM产品---MB85RC1MT,是所有富士通半导体I2C串行接口产品中最高内存容量的产品,且即日起即可为客户提供样品。全新MB85RC1MT可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期,适用于需要经常重复写入数据之应用,例如工厂自动化、测试仪器及工业设备所需之实时数据登录应用。现在富士通半导体同时拥有广泛的I2C与SPI串行接口产品系列,为客户提供最符合他们要求的非挥发性存储器产品。

FRAM是一种兼具非挥发性与随机存取功能的存储器,能在没有电源的情况下可储存及高速写入数据。值得注意的是,在众多非挥发性内存技术中,FRAM能保证一万亿次以上的写入/擦除周期。富士通半导体自1999年开始量产FRAM产品以来,已将上述产品特性广泛应用在工厂自动化设备、测试仪器、金融终端机及医疗装置等领域。

MB85RC1MT可在摄氏零下40度至85度的温度范围以1.8V至3.3V工作电压运作,可支持3.4MHz 的“高速”操作模式,并可在与传统EEPROM相同的1MHz环境进行读写数据作业。MB85RC1MT保证有一万亿次写入/擦除周期,大幅超越传统EEPROM的写入/擦除周期次数,并可支持I2C接口及其他接口产品的实时数据登录等频繁的重复写入数据作业。

此外,对于一些需要使用I2C接口EEPROM应用场合,现在都可以由富士通半导体的新款FRAM产品取而代之,以实现高频率数据输入和高精度数据撷取(如图一),更能够降低数据写入的时功耗(如图二)。

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图一:数据写入/擦除周期比较

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图二:EEPROM和富士通半导体FRAM产品之数据写入作业功耗比较

MB85RC1MT的出现增加了富士通半导体的FRAM产品阵容:I2C 接口(支持4 Kb至1 Mb内存容量)和SPI接口(16 Kb至2 Mb内存容量)(如图三)。这些FRAM产品采用业界标准的8针脚SOP封装,因而可取代EEPROM或序列闪存,并适用于工厂自动化、测试仪器及工业设备等应用,更无须大幅修改电路版的设计。

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图三:FRAM产品阵容(序列内存)

富士通半导体将持续开发FRAM产品以满足客户对低功耗产品之需求,例如需求日益增加的能量采集应用,其中低工作电压是关键要素。

样品供货时程
富士通半导体从本月起已开始为客户提供MB85RC1MT样本,请与业务代表洽谈详细样品价格。

更多的富士通半导体产品信息:
富士通半导体网站:http://www.fujitsu.com/cn/fss/
FRAM产品网站:http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/

客户联系
富士通半导体(上海)有限公司
蔡振宇
市场部
电话:86 21-6146 3688,Eric.Cai@cn.fujitsu.com


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