现代通信系统电源设计
发布时间：2010-6-9 11:10
发布者：我芯依旧
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通信设备使用的电源器件有很多种，从前端的功率因数校正(PFC)AC/DC电源到后端的高效DC/DC模块和负载点(POL)转换器，不一而足。从需要很高效率的中间总线转换器(IBC)，到那些日趋细小轻巧的VoIP数字电话，以及要求多路紧密调节电压(7～13路输出)的数字用户线(xDSL)电源等，DC/DC电源在现代通信中获得了广泛应用。 中低功率应用(15～100W)通常使用低成本的单端正向或回扫拓扑结构来设计电源模块，而推挽式、半桥和全桥拓扑结构在功率更高的应用(100～1000W)中很流行。中间总线架构(IBA)是一种新型分布式总线标准，它利用一种低成本的非稳压(开环)中间总线式转换器(IBC)将-48V通信总线转换到+12V中间总线，从而通过使用低成本的负载点(POL)模块简化板上电源设计。 美国国家半导体公司最近发布了一系列新的高压电源转换数字特殊应用集成电路(ASIC)，即LM5000系列，该系列提供了多种脉冲宽度调制(PWM)控制器驱动器芯片组，用于这些最新的电源系统设计中。这些芯片能承受高达100V的输入电压，满足了通信系统电压瞬态规范的应力限制。其开关频率超过1MHz，与现有的解决方案相比，提高了电源效率，并成为众多电源应用的基准。该系列从低成本的中功率正向拓扑结构(使用LM5025电压模式有源钳位PWM控制器)，到中功率IBA转换器(使用LM5033半桥或推挽PWM)，再到最先进、功率最高的级联式电流馈电拓扑结构(由LM5041和LM5100控制器驱动器芯片组支持)，覆盖了所有的功率级别。 新型IBA电源系统方法需要两级转换：首先是非稳压隔离级，然后是多个紧密调节的负载点板上安装的DC/DC电源模块。隔离级(称作中间总线转换器)的拓扑结构一般是开环、非稳压、自由运行“直流变压器”，被选择用来隔离和降低总线电压，同时保证低成本和高功率转换效率(大于95%)。双输出LM5033 PWM控制器和LM5100半桥驱动器构成一个理想的芯片组解决方案，能将这些中间总线转换器设计中需要的外部元件成本和数量降至最低。 图1以典型的通信电源总线转换器设计中的LM5033/LM5100芯片组为例，在该设计中，40～60V输入总线电压通过一个隔离变压器，向下转换至10～15V中间总线电压，并分配至下游安装在板上的负载点模块中。通过维持LM5033双控制器的输出在一个恒定的50%占空比，实现了最高的电源效率，这样做降低了开关FET和同步整流器上的电流和电压应力，同时改善了变压器的线圈使用率。  图1 lm5033中间总线转换器 IBA两级架构的竞争对手是更传统、使用回归或正向拓扑结构的单级隔离电源。与那些用于IBA方法的紧密调节负载点模块相比，这些电源虽然提供了富有竞争力的成本和电源效率，但很难在多个输出维持良好的稳压。 与标准的正向转换器相比，有源钳位正向转换器提供了更高的效率，而且在中功率应用(50～200W)中更受欢迎。有源钳位正向转换器采用了一个有源复位FET和电容器，在损耗最低的情况下使核心复位。钳位电容器捕获磁化能量和释放能量，并把它们返回源极，从而提高了电源转换效率。 图2描绘了典型的48V单级通信电源设计中的LM5025有源钳位正向控制器，其工作输入电压范围是36～75V，额定输出在3.3V时可高达100W。该控制器的两路输出直接驱动N通道功率MOSFET和P通道复位MOSFET。这两路驱动器输出的大小不同，主输出产生较大的3A门极驱动峰值电流，其目的是迅速开关大功率MOSFET以便降低开关损耗。复位MOSFET的输出要小得多，这是因为它只传导磁化电流，因此门极驱动器的峰值电流仅为1A。要实现最高的效率，两路门极驱动器输出之间的时序延迟就甚为关键，而LM5025控制器就具备了这样的可编程功能。 对于输出电压较低的应用方面，就有必要使用同步整流器以实现较高的整体电源效率。有源复位方案适合使用同步整流器，这是因为同步整流器可以直接通过次级变压器自我驱动，如图2所示。 
图2 lm5025正向有源钳位转换器 图3展示了LM5041级联式控制器和LM5100半桥驱动器组合而成的芯片组，用于设计双级级联式降压馈电转换器。该转换器包含一个高压降压前级稳压器，用于在推挽电源变压器级维持一个固定的电压，这个变压器级被用作“直流变压器”，类似前文所述的IBC。通过设置变压器匝数比，将预稳压电压降至最终的输出电压。目前生产的级联式转换器能进行紧密的线路稳压，其线路输入电压范围宽达4:1甚至更高。它还能提供优异的输出负载瞬时响应，同时消除了输出滤波器电感器和电流传感电阻器，这是降低成本和复杂性的另一个优点。它的输出电路具备回扫稳压器的简单性和其他优点。去掉输出滤波电感器，便缩短了加载阶跃变化的延迟，并且无需采用引起电压回路错误的电感器。推挽直流变压器持续在精确的50%占空比上驱动，从而产生连续不断的电流至输出端。这样做不但提高了隔离变压器核心的使用率，同时也降低了输出元件的应力和干扰，使级联拓扑结构非常适合于高输出功率的应用。  图 3 lm5041 电流馈电推挽转换器 图4展示了推挽MOSFET漏极波形和降压级开关节点(Vsw)。当两个漏极均为低电平时，交迭时间便会显示出来。推挽级的工作切换频率是降压级的一半。  图5展示了双级多输出数字用户环路(DSL)的电源应用，它使用了由LM5030推挽控制器驱动的一个功率较低的多输出隔离变压器，加上LM5642双输出电流模式降压控制器。该电源提供了线路驱动器和放大器的两种模拟电压(典型值为±12V)，以及数字ASIC所需的几种较低电压(+5V、+3.3V、+1.8V、+1.5V)。LM5030被用作推挽转换器的中心部件，把48V输入电压转换成±12V，同时提供电绝缘。LM5642控制器构成负载点同步降压转换器，接收来自中间总线轨的+12V电力，并产生用于xDSL卡电子器件的多路低压输出。高性能双输出LM5642降压控制器的每条通道只需要一对FET、一个小型输出电感器和输出电容器，以及几个电阻器和电容器，构成了高效率、低成本的IBA解决方案。  图 5 xdsl 中间总线功率转换器 下面的表1列出了美国国家半导体公司的一些新型高压ABCD(模拟双极CMOS DMOS)技术系列和应用，它们具有充足的击穿电压，有利于简化通信电源转换器的设计。被称为ABCDXV1和ABCDXV2的两种新技术增强了N通道DMOS功率晶体管、高压PMOS器件和结隔离二极管的击穿电压，使它们能够承受高达100V的直流输入工作电压，以便满足通信电力系统标准中的瞬态电压规范。这两种新型平台(XV1和XV2)是基于现有的45V ABCD150技术平台，并分别提供80V和 100V击穿电压。 
表 1 高压 abcd 技术 利用美国国家半导体公司LM5000系列中的多种新型高压高性能电源管理芯片组，可以迅速组装通信用分布式电源总线架构和转换器拓扑结构。从这些产品中挑选用于电源设计的产品时，需要考虑的平衡因素包括输入电压范围、预期输出数量、整体系统的电源效率要求，以及允许的卡的尺寸和面积大小。现代的先进高压工艺技术促进了PWM控制器、开关稳压器和功率MOSFET门级驱动器的进步，现在这些元件可以被迅速组装，构成轻巧而高效的DC/DC电源模块。 |
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