工艺进步刺激主频战升级 ARM将出3GHz芯片
发布时间：2013-7-10 16:01
发布者：eechina
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由于传统X86架构和ARM架构的竞争，处理器的工艺可谓是一年比一年先进，随着台积电、GlobalFoundries在2014年批量投产20nm工艺，ARM处理器在工艺上的被动局面将会有所缓解。目前由于28nm工艺的限制，无论是高通的骁龙800，还是NVIDIA Tegra 4i，主频最高只能达到2.3GHz，A15架构的Tegra 4则只能达到1.8GHz。 台积电方面日前表示，在20nm工艺下，处理器主频可以提速30％，同时晶体管密度增加1.9倍，功耗则降低25％。这样的表态对于ARM处理器来说无疑是天大的好消息，仅靠工艺升级就能将主频提升到3GHz，同时还有更多可用的晶体管来添加新的功能模块。 功耗的降低还能带来更低的发热量和更长的电池续航时间。不过，这个降低25％只是指同频条件下，如果处理器主频真的达到3GHz，那实际上耗电量是在增加。 NVIDIA的下一代整合开普勒架构图形核心的Logan Tegra使用台积电20nm已成板上钉钉，A15架构的高功耗、高发热量难题也有望因此迎刃而解。PowerVR 6系列图形核心同样宣布了很久，恐怕也是现有工艺不足以支撑的缘故，估计等到20nm甚至16nm出现后，这种情况才能有所改变。 英特尔Atom即将转向22nm(AMD APU依然是28nm)，这么看，明年将是ARM的工艺爆发年。不过，英特尔在新工艺加新架构的Atom带领下，目前仍可瞬秒ARM。再加上后年就会出推出14nm工艺，ARM的路还很长。 来源：赛迪网 |
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