Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族

2013年06月04日 15:06    eechina
关键词: N沟道 , 功率MOSFET
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度

Vishay E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装,将10V下的导通电阻扩展到30mΩ~600mΩ,将最高电流等级扩大为6A~105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术,针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用,Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指标。

130604_Photo_MOSFETs_SiHB12.jpg


今天推出的器件使E系列的器件总数达到26个。所有E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷,可实现极低的传导和开关损耗,可在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体制造设备、适配器和太阳能逆变器等高功率、高性能开关电源中节省能源。

器件针对雪崩和通信模式中承受高能脉冲而设计,通过100%的UIS测试确保极限性能。MOSFET符合RoHS。

器件规格表:
  

编号

  

V(BR)DSS  (V)

ID  @ 25C(A)

RDS(ON)  max.
  @ Vgs = 10 V (mΩ)

Qg typ
  @ Vgs = 10V (nC)

封装

样品

SiHP6N65E

650

6

600

21

TO220

已发布

SiHF6N65E

650

6

600

21

TO220F

已发布

SiHB6N65E

650

6

600

21

TO263  (D2PAK)

已发布

SiHD6N65E

650

6

600

21

TO252 (DPAK)

已发布

SiHU6N65E

650

6

600

21

TO251 (IPAK)

已发布

SiHP12N65E

650

12

380

33

TO220

可供货

SiHB12N65E

650

12

380

33

TO263  (D2PAK)

可供货

SiHF12N65E

650

12

380

33

TO220F

可供货

SiHP15N65E

650

15

280

44

TO220

已发布

SiHB15N65E

650

15

280

44

TO263  (D2PAK)

已发布

SiHF15N65E

650

15

280

44

TO220F

已发布

SiHP22N65E

650

22

180

65

TO220

已发布

SiHF22N65E

650

22

180

65

TO220F

已发布

SiHB22N65E

650

22

180

65

TO263  (D2PAK)

已发布

SiHG22N65E

650

22

180

65

TO247AC

已发布

SiHP24N65E

650

24

150

83

TO220

已发布

SiHB24N65E

650

24

150

83

TO263  (D2PAK)

已发布

SiHG24N65E

650

24

150

83

TO247AC

已发布

SiHP28N65E

650

28

125

99

TO220

五月

SiHG28N65E

650

28

125

99

TO247AC

五月

SiHW28N65E

650

28

125

99

TO247AD

五月

SiHG47N65E

650

47

70

178

TO247AC

可供货

SiHW47N65E

650

47

70

178

TO247AD

可供货

SiHG64N65E

650

65

51

244

TO247AC

五月

SiHW64N65E

650

65

51

244

TO247AD

五月

SiHS105N65E

650

105

30

405

Super TO247

五月



新款功率MOSFET现可提供样品,量产供货周期为十六周到十七周。


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