ST发布最新功率技术，让工业设备和基础设施更加节能环保
发布时间：2013-5-27 10:49
发布者：eechina
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全新功率晶体管系列采用先进的内部结构，拥有业界最低通态电阻，适用于低能耗、高空间效率的设计 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出能够降低电信系统、计算机系统、太阳能逆变器、工业自动化以及汽车电子等应用设备的环境影响的新一代高能效功率器件。 意法半导体全新STripFET VII DeepGATE MOSFET 在当前市场销售的80V和100V功率晶体管中拥有最高的导通效率，同时提高了开关效率。此外，新产品有助于简化设计，使用数量更少且封装更小的器件满足系统功耗和能效目标，从而降低了设备尺寸和成本。 增强的MOSFET栅结构是意法半导体STripFET VII DeepGATE技术的重要进步，降低器件通态电阻的同时还降低了内部电容和栅电荷，进一步提高开关速度和效率。新产品的抗雪崩能力优异，使产品在可能损坏器件的恶劣条件中仍可正常工作，因此STripFET VII DeepGATE是汽车电子应用的最佳选择。 现在可订购的STripFET VII DeepGATE样片或产品超过15种，包括STP270N8F7 80V器件和若干100V器件，客户可选择TO-220、DPAK、PowerFLAT 5x6和2针脚或6针脚H2PAK封装。如需大量订购，请联络意法半导体销售办事处。 
关于意法半导体MOSFET和电压额定值： STripFET VII DeepGATE是意法半导体强大的MOSFET技术家族的新成员，在各种应用使用的主要电压额定值下，提供业界领先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技术特别适用于直流电压驱动的电气系统，如电信设备广泛使用的48V直流电压。80V或100V器件具有充足的安全裕量，可承受在48V系统中常见的过压电涌。优异的可靠性让STripFET VII DeepGATE还可用于12V或24V汽车电子应用。 工业电源还需要像MDmesh 超结技术一样的功率技术，因为此项技术在较高电压额定值时能效十分优异。600V或650V MDmesh器件为交流－直流电源、照明镇流器和显示器提供适合的安全裕量。意法半导体近期发布的全新高能效MDmesh产品系列以低栅电荷为特色，适用于谐振型功率转换器，如液晶电视电源（MDmesh II Low Qg）。 详情请访问 www.st.com/pmos |
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