ST采用新节能封装扩大高能效功率产品阵容
发布时间：2013-5-10 17:39
发布者：eechina
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最新的MDmesh V超结MOSFET采用创新的4针封装 ，增加专用控制输入，提高开关能效 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出首款采用全新封装技术的MDmesh V超结MOSFET晶体管，新封装技术可提高白色家电、电视、个人电脑、电信设备和服务器开关电源等设备的功率电路能效。 新的TO247-4 4针封装提供一个开关控制专用直接源极针脚，而传统封装是开关和电源共用一个针脚。增加的针脚能够提高开关能效，降低开关损耗，支持更高的开关频率，进一步降低电源尺寸。 
该封装是意法半导体与英飞凌的合作开发成果，英飞凌也推出其新款超结器件，为客户选购超结MOSFET提供了另一个选择。意法半导体功率晶体管产品部市场总监Maurizio Giudice表示：“TO247-4具有很高的成本效益，用于替代标准TO-247 器件时，只需对印刷电路板布局略加修改，从而简化了该器件在电源系统的应用。采用这一封装的全新意法半导体MDmesh器件可提高工作能效，使终端设备更加节能环保。” TO247-4封装集成了实现至源极Kelvin连接的内部结构，这个连接旁通了主电源连接的共源电感，可消除高达60%的开关损耗，设计人员可使用更高的开关频率和更小的滤波器件。新封装结合意法半导体的MDmesh超结技术，实现最高的单位硅面积导电效率及最好的总体节能效果。 此次推出的产品是STW57N65M5-4。作为首款TO247-4封装的MDmesh产品，STW57N65M5-4可提高主动功率因数校正（PFC）电路和全桥或半桥功率转换器的能效，适用于各种消费电子和工业电子产品。 TO247-4封装的STW57N65M5-4的更多特性： • 高抗噪性，可降低电磁干扰（EMI）敏感度 • 增强的额定电压，可提高安全系数 • 高耐dv/dt能力，可提高可靠性 • 100%雪崩测试，可用于耐用性设计 STW57N65M5-4现已量产。详情请访问http://www.st.com/to247-4-pr |
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