美高森美选择英特尔代工服务开发数字集成电路
发布时间：2013-5-9 11:35
发布者：eechina
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美高森美使用英特尔22 nm Tri-Gate 晶体管技术进行开发，预计于2014年底到 2015年初提供产品 美高森美公司(Microsemi)宣布利用英特尔公司(INTC)业界领先的onshore代工技术和使用英特尔革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶体管技术，开发先进的高性能数字集成电路(IC)和系统级芯片(SoC)解决方案。 这项于2013年1月签署的协议与美高森美的战略相一致，将充分利用公司广泛的高技术产品争取更高性能和更高价值的机会。英特尔的Tri-Gate晶体管提供了空前的性能和功效组合，使得美高森美能够开发出用于高性能计算、网络加速和信号处理应用的数字IC产品。目前美高森美正在与客户接洽，并且开始使用英特尔22nm工艺节点进行设计，预计将于2014年底到2015年初提供产品。 美高森美集成电路集团执行副总裁Paul Pickle表示：“我们所瞄准的高价值应用兼备独特的性能和复杂的功能特性的解决方案，通过使用英特尔的创新工艺技术和经过硅产品验证的IP，我们能够为通信和国防市场提供性能较高、功率较低的数字IC产品，扩大在所服务市场的机会。” 英特尔技术和制造集团副总裁Sunit Rikhi表示：“英特尔很高兴使用先进的22nm工艺技术和IP解决方案，来为美高森美制造数字IC解决方案。” 关于英特尔3-D Tri-Gate晶体管 英特尔公司的3-D Tri-Gate晶体管是晶体管的重新发明，它是使用从硅基底垂直竖起的不可想象之薄的三维硅鳍来替代传统的“扁平的”二维平面栅极。在硅鳍的三面各有一个栅极——每边各一个，另一个则横跨在顶部，从而实现电流的控制，而不是像二维平面晶体那样只有一个栅极在顶部。当晶体管处于“导通”状态时，这种附加控制可让尽可能多的晶体管电流流过(提高性能)，这是由于tri-gate结构具有较低的寄生效应，并且在“关断”状态时电流尽可能接近于零(最大限度减小功耗)，这也使得晶体管能够在两个状态之间非常快速地开关(同样提高了性能)。在速度方面，22nm晶体管在一秒钟内的开关次数能够远远超过10亿次。 |
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